"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых p-n-структурах при термообработке
Выжигин Ю.В.1, Соболев Н.А.1, Грессеров Б.Н.1, Шек Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Показано, что образующиеся в процессе термообработки неравновесные собственные точечные решеточные дефекты участвуют в формировании электрически активных центров, ответственных за ударную ионизацию и генерацию-рекомбинацию носителей заряда в p-n-структурах. Демонстрируются возможности метода емкостной спектроскопии для исследования влияния различных физических факторов на пересыщение Si собственными дефектами. Центры с глубокими уровнями с энергиями ионизации Ec-0.277 ( Е4), Ec-0.535 эВ ( Е1), связанные с пересыщением Si собственными межузельными атомами, и Ec-0.266 эВ ( Е5), связанный с вакансионным пересыщением, могут приводить к образованию микроплазм. Центр E1 также является эффективным генерационно-рекомбинационным центром, увеличивающим обратный ток p-n-структур. Изменение условий термообработки позволяет управлять типом и концентрацией генерируемых неравновесных собственных дефектов и концентрацией электрически активных центров, контролирующих время жизни неосновных носителей заряда. Развитые представления используются для оптимизации условий изготовления структур сильноточных высоковольтных лавинных диодов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.