"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре
Бычковский Д.Н.1, Воронцова Т.П.1, Константинов О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 ноября 1992 г.

Из условия равенства химических потенциалов двумерного и трехмерного газа электронов получено замкнутое уравнение для определения контактного потенциала квантовой ямы относительно окружающей толщи широкозонного полупроводника. В последней возникает истощенный слой макроскопической толщины до одной десятой микрона. Показано, что сдвиг уровней в квантовой яме относительно ее дна, обусловленный зарядом электронов, весьма невелик, и им можно пренебречь. Эффекты, к которым приводит макроскопически толстая истощенная область --- это ее проявление на вольт-фарадных характеристиках барьерных структур с квантовой ямой в толще и превращение возбужденного состояния электрона в яме в квазистационарное. Последний эффект должен проявиться в явлении резонансного туннелирования через возбужденный уровень.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.