Вышедшие номера
Общее количество статей:
11073
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
19
Распределение количества просмотров по годам:
1378753
1278421
1229582
1099912
937423
900148
820713
734519
869049
1053688
1044427
980461
971025
970033
945220
981032
1000785
1032998
910739
962477
901569
1130054
1141308
1121742
1079502
1165973
1175580
1129324
1090904
1133813
1036884
911360
706306
543131
410799
208352
132525
52095
4333
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
114
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2026 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Смагина Ж.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Левин Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зиновьев В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Зиновьева А.Ф.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Мудрый А.В.
ГНПО " Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению", Минск, Беларусь
2
Живулько В.Д.
ГНПО " Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению", Минск, Беларусь
2
Захаров В.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кондратов М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Токарев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Фомин Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мясоедов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Копытов П.Е.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Старков И.А.
НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
1
Новиков И.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Папылев Д.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Андрюшкин В.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Ковач Я.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Никитина Е.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Воропаев К.О.
АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
1
Цацульников А.Ф.
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Карачинский Л.Я.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Сачук Н.В.
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Новиков П.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Двуреченский А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Бородавченко О.М.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
1
Гавриков А.А.
Институт физики и Научно-исследовательский институт физических исследований, Российский государственный университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Кузнецов В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дядькина Н.Е.
Институт физики и Научно-исследовательский институт физических исследований, Российский государственный университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Колобов А.В.
Институт физики и Научно-исследовательский институт физических исследований, Российский государственный университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Ильющенков Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Павлюченко А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Марков Л.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнова И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Карпова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Фрейман В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Воробьев И.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ватницкий О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Томкович М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кукушкина Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зегря А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Савенков Г.Г.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Шашков Е.В.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Александров П.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Шемардов С.Г.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Васильев А.Л.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Беклемишев В.Н.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Беклемишева А.В.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов А.Ю.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Компан М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соломникова А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Шарофидинов Ш.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шалимова М.Б.
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Карлина Л.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лысак В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Учаев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сошников И.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Окулич Е.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Окулич В.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Тетельбаум Д.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Александров И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Вдовин В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Федина Л.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Дураков Д.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Петров А.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Рогило Д.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Щеглов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Латышев А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Иванов В.В.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Казаринова Д.Д.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Лизунова А.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Волков И.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Власов И.С.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Колисова Е.В.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Цаплин И.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Корнюшин Д.В.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Ворошилова В.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Лошкарев А.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Горшков А.П.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Шварцман В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Волкова Н.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Цветков А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Планкина С.М.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Демина П.Б.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Панфилов А.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Семенов А.Н.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Нечаев Д.В.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Трошков С.И.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Алексеев П.А.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Шмидт Н.М.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Калиновский В.С.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Жмерик В.Н.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Орешко И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
1
АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
1
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
1
Институт физики и Научно-исследовательский институт физических исследований, Российский государственный университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Нижегородский государственный университет им. Н.И Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
ГНПО " Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению", Минск, Беларусь
1
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1