Существование приграничных ловушек, энергетическое положение которых находится на одном уровне с интерфейсными состояниями в середине запрещенной зоны германия, предлагается как основной фактор, влияющий на нетипичные C-V-характеристики метал-диэлектрик-полупроводник структур Al/SmF₃/Ge. Эти приграничные ловушки пространственно расположены в диэлектрике очень близко к интерфейсу SmF₃/nGe и обмениваются с поверхностными состояниями зарядом посредством туннелирования, что помогает поддерживать высокую плотность электронов вблизи границы раздела и создавать режим обогащения основными носителями заряда. При развертке от положительного напряжения к отрицательному изменение эффективного заряда структур Al/SmF₃/Ge составляло ~(4-17)·10^-8 К/см², что соответствовало плотности приграничных ловушек D_Nit=(5-20)·10¹² эВ^-1. см^-2. Ключевые слова: МДП-структура, германий, фторид самария, плотность поверхностных состояний, плотность приграничных ловушек, сечение захвата ловушки.