Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Люминесцентный отклик GeSi структур, выращенных из ионно-молекулярных пучков, в зависимости от мощности лазерного возбуждения

Russian science foundation, 25-22-00424

Смагина Ж.В.

¹, Зиновьев В.А.

¹, Зиновьева А.Ф.

^1,2, Новиков П.Л.

^1,2, Двуреченский А.В.

^1,2, Мудрый А.В.

³, Бородавченко О.М.

³, Живулько В.Д.

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь Scientific and Practical Materials Research Center, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus

Scientific and Practical Materials Research Center, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus

Email: smagina@isp.nsc.ru, zinoviev@isp.nsc.ru, aigul@isp.nsc.ru, novikov@isp.nsc.ru, dvurech@isp.nsc.ru

Выставление онлайн: 19 апреля 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Исследовано влияние мощности лазерного возбуждения на люминесцентные свойства Ge/Si структур с квантовыми точками, созданными молекулярно-лучевой эпитаксией при облучении ионами Ge⁺ с энергией 2 кэВ. При увеличении мощности в спектрах фотолюминесценции структур, выращенных без ионного облучения, наблюдается смещение пика излучения GeSi квантовых точек на ~10 мэВ. Тогда как для структур, созданных в условиях ионного облучения, положение пика остается неизменным, что обусловлено появлением эффективного канала излучательной рекомбинации через дефекты, созданные ионным облучением в GeSi квантовых точках. Получено, что зависимость интенсивности фотолюминесценции от мощности лазерного возбуждения для ионно-модифицированных структур становится линейной выше пороговой мощности ~ 35 Вт/см², что является характерным признаком наличия прямых оптических переходов. Ключевые слова: квантовые точки, германий, кремний, эпитаксия, ионное облучение, фотолюминесценция.

D. Thomson, A. Zilkie, J.E. Bowers, T. Komljenovic, G.T. Reed, L. Vivien, D. Marris-Morini, E. Cassan, L. Virot, J.-M. Fedeli. J. Optics, 18, 073003 (2016). DOI: 10.1088/2040-8978/18/7/073003
J. Yang, Z. Liu, P. Jurczak, M. Tang, K. Li, S. Pan, A. Sanchez, R. Beanland, J.-C. Zhang, H. Wang. J. Phys. D: Appl. Phys., 54, 035103 (2021). DOI: 10.1088/1361-6463/abbb49
S. Wirths, R. Geiger, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M. Luysberg, S. Chiussi, J.M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photonics, 9, 88 (2015). doi.org/10.1038/nphoton.2014.321
L. Tsybeskov, D.J. Lockwood, M. Ichikawa. Proc. IEEE, 97, 1161 (2009). DOI:10.1109/JPROC.2009.2021052
M. Grydlik, F. Hackl, H. Groiss, M. Glaser, A. Halilovic, T. Fromherz, W. Jantsch, F. Schaffler, M. Brehm. ACS Photonics, 3, 298 (2016). https://doi.org/10.1021/acsphotonics.5b00671
M. Grydlik, M.T. Lusk, F. Hackl, A. Polimeni, T. Fromherz, W. Jantsch, F. Schaffler, M. Brehm. Nano Lett., 16 (11), 6802 (2016). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b02494
D.-W. Kim, T. Kim, S.K. Banerjee. IEEE Trans. Electron Dev., 50, 1823 (2003). DOI: 10.1109/TED.2003.815370
A. Salomon, J. Aberl, E.P. Navarrete, M. Karaman, O.E. Lang, D. Primetzhofer, P. Deak, A. Gali, T. Fromherz, M. Brehm. ACS Photonics, 12, 2364 (2025). https://doi.org/10.1021/acsphotonics.4c01662
Y. De Koninck, C. Caer, D. Yudistira, M. Baryshnikova, H. Sar, P.-Y. Hsieh, C.I. Ozdemir, S.K. Patra, N. Kuznetsova, D. Colucci, A. Milenin, A.A. Yimam, G. Morthier, D.V. Thourhout, P. Verheyen, M. Pantouvaki, B. Kunert, J.V. Campenhout. Nature, 637, 63 (2025). https://doi.org/10.1038/s41586-024-08364-2
J. Norman, M.J. Kennedy, J. Selvidge, Q. Li, Y. Wan, A.Y. Liu, P.G. Callahan, M.P. Echlin, T.M. Pollock, K.M. Lau, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Opt. Express, 25 (4), 3927 (2017). DOI: 10.1364/OE.25.003927
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, A.I. Nikiforov. Appl. Phys. Lett., 80, 4783 (2002). https://doi.org/10.1063/1.1488688
K. Eberl, M.O. Lipinski, Y.M. Manz, W. Winter, N.Y. Jin-Phillipp, O.G. Schmidt. Physica E, 9, 164 (2001). https://doi.org/10.1016/S1386-9477(00)00190-9
M. Brehm, M. Grydlik. Nanotechnology, 28, 392001 (2017). DOI: 10.1088/1361-6528/aa8143
F. Murphy-Armando, M. Brehm, P. Steindl, M.T. Lusk, T. Fromherz, K. Schwarz, P. Blaha. Phys. Rev. B, 103, 085310 (2021). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.085310
D.D. Berhanuddin, N.E.A. Razak, M.A. Lourenco, B.Y. Majlis, K.P. Homewood. Sains Malaysiana, 48 (6), 1251 (2019). http://dx.doi.org/10.17576/jsm-2019-4806-12
L. Spindlberger, J. Aberl, A. Polimeni, J. Schuster, J. Horschlager, T. Truglas, H. Groiss, F. Schaffler, T. Fromherz, M. Brehm. Crystals, 10, 351 (2020). https://doi.org/10.3390/cryst10050351
L. Spindlberger, J. Aberl, L. Vukuv sic, T. Fromherz, J.-M. Hartmann, F. Fournel, S. Prucnal, F. Murphy-Armando, M. Brehm. Mater. Sci. Semicond. Process., 181, 108616 (2024). DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108616
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, А.В. Мудрый, О.М. Бородавченко, А.О. Баженов, А.В. Двуреченский, В.Д. Живулько. ФТП, 59 (2), 55 (2025). DOI: 10.61011/FTP.2025.02.60977.7726
J.V. Smagina, P.L. Novikov, V.A. Armbrister, V.A. Zinoviev, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii. Physica B, 404, 4712 (2009). 10.1016/j.physb.2009.08.162
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, В.А. Армбристер, С.А. Тийс. ЖЭТФ, 133, 593 (2008)
Zh.V. Smagina, P.L. Novikov, V.A. Zinovyev, V.A. Armbrister, S.A. Teys, A.V. Dvurechenskii. J. Cryst. Growth, 323, 244 (2011). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.10.128
V.A. Zinovyev, A.F. Zinovieva, Zh.V. Smagina, A.V. Dvurechenskii, A.K. Gutakovskii, L.I. Fedina, O.M. Borodavchenko, V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi. J. Appl. Phys., 130, 153101 (2021). https://doi.org/10.1063/5.0063592
J. Tersoff. Phys. Rev. B, 38, 9902 (1988). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.38.9902
J.M. Ulloa, J.M. Llorens, M. del Moral, M. Bozkurt, P.M. Koenraad, A. Hierro. J. Appl. Phys., 112, 074311 (2012). http://dx.doi.org/10.1063/1.4755794
M. Larsson, A. Elfving, W.-X. Ni, G.V. Hansson, P.O. Holtz. Phys. Rev. B, 73, 195319 (2006). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.73.195319
Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 41, 635 (2007)
Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, К.В. Карабешкин. ФТT, 58, 2411 (2016). DOI: 10.21883/ftt.2016.12.43865.199
N.A. Sobolev, A.E. Kalyadin, E.I. Shek, K.F. Shtelmakh, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, L.I. Fedina. Phys. Status Solidi A, 214, 1700317 (2017). DOI: 10.1002/pssa.201700317
S. Coffa, S. Libertino, C. Spinella. Appl. Phys. Lett., 76, 321 (2000). https://doi.org/10.1063/1.125733
L. Tsybeskov, D.J. Lockwood. Proc. IEEE Optical Interconnects, 97, 1284 (2009). DOI: 10.1109/JPROC.2009.2020711
P. Boucaud, S. Sauvage, M. Elkurdi, E. Mercier, T. Brunhes, V. Le Thanh, D. Bouchier, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel. Phys. Rev. B, 64, 155310 (2001). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.155310
T. Tayagaki, K. Ueda, S. Fukatsu, Y. Kanemitsu. J. Phys. Soc. Jpn., 81, 064712 (2012). https://doi.org/10.1143/JPSJ.81.064712
K. Ueda T. Tayagaki, S. Fukatsu, Y. Kanemitsu. J. Non-Cryst. Sol., 358, 2122 (2012). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.020
E. C. Le Ru, J. Fack, R. Murray. Phys. Rev. B, 67, 245318 (2003). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.67.245318
Г.Н. Кинчин, Р.С. Пиз. УФН, 60, 590 (1956). DOI: 10.3367/UFNr.0060.195612c.0590
J.P. Biersack, L.G. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980). https://doi.org/10.1016/0029-554X(80)90440-1
R.S. Averback, T.D. de la Rubia. Solid State Phys., 51, 281 (1997). https://doi.org/10.1016/S0081-1947(08)60193-9
M. Dioni zio Moreira, R.H. Miwa, P. Venezuela. Phys. Rev. B, 70, 115215 (2004). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.115215
M.-J. Caturla, T.D. de la Rubia, L.A. Marques. Phys. Rev. B, 54, 16683 (1996). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.54.16683
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, Yu.I. Yakovlev, A.I. Nikiforov. Phys. Rev. B, 61, 10868 (2000). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.61.10868

Учредители

Издатель