Структурные и спектроскопические методы диагностики использовались при изучении слоев AlGaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на подложке Si(100), с V-образной наноструктурой на поверхности (подложка NP-Si(100)) и буферным слоем AlN, осажденным методом реактивного магнетронного напыления. Рентгеноструктурный анализ показал, что применение низкотемпературного AlN-буферного слоя обеспечивает тенденцию кристаллизоваться блокам AlN с неполярной (10=10) ориентацией. NP-Si(100) подложка при толщине 10 мкм формирует блочную конфигурацию Al_xGa_1-xN-слоя, связанную с полуполярными ориентациями (10=13) и (10=15) с x=0.42 и x=0.39 соответственно. Дифрактограмма слоя показывает наличие блоков с полярной гексагональной Al_xGa_1-xN с x=0.36 и кубическими c-AlN(220) и c-AlN(420) кристаллографическими ориентациями. Атомно-силовая микроскопия показала, что слой AlGaN толщиной 150 мкм имеет размеры блоков 9 мкм и полуполярную кристаллическую ориентацию. Ключевые слова: полуполярный AlGaN, наноструктурированная подложка Si(100), хлорид-гидридная газофазная эпитаксия.