Пористые слои в кремнии, полученные высокодозной имплантацией ионов гелия
НИОКР НИЦ "Курчатовский институт", Разработка новых имплантационных методов получения диэлектрических промежуточных слоёв в полупроводниковых подложках для систем управления термоядерных установок, приказ № 183 от 26.01.2026
Александров П.А.1, Шемардов С.Г.1, Васильев А.Л.1, Беклемишев В.Н.1, Беклемишева А.В.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
Email: Annabekl@ya.ru
Поступила в редакцию: 10 февраля 2026 г.
В окончательной редакции: 18 февраля 2026 г.
Принята к печати: 12 марта 2026 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2026 г.
Рассмотрены вопросы возникновения радиационного блистеринга при высокодозной имплантации ионов гелия в кремниевую подложку. Предложен метод получения "захороненного" пористого слоя без механического разрушения поверхностного кремния. Ключевые слова: имплантации ионов гелия, монокристаллические пластины кремния, докритическая доза имплантации, кремний-на-изоляторе, захороненные слои высокой пористости.
- C.C. Griffioen, J.H. Evans, P.C. de Jong, A. van Veen. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 27 (3), 417 (1987). DOI: 10.1016/0168-583X (87)90522-2
- C.C. Griffioen, J.H. Evans, P.C. De Jong, A. Van Veen. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 28 (3), 360 (1987). DOI: 10.1016/0168-583X (87)90176-5
- V. Raineri, P.G. Fallica, G. Percolla, A. Battaglia, M. Barbagallo, S.U. Campisano. J. Appl. Phys., 78, 3727 (1995). DOI: 10.1063/1.522860
- A. Ogura. Appl. Phys. Lett., 82 (25), 4480 (2003). DOI: 10.1063/1.1586783
- M. Hasanuzzaman, Y.M. Haddara, A.P. Knights. J. Appl. Phys., 112, 064302 (2012). DOI: 10.1063/1.4751267
- K. Haynes, X. Hu, B.D. Wirth, C. Hatem, K.S. Jones. J. Appl. Phys., 124, 165708 (2018). DOI: 10.1063/1.5053660
- J. H. Evans. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 196, 125 (2002)
- П.А. Александров, О.В. Емельянова, С.Г. Шемардов, Д.Н. Хмеленин, А.Л. Васильев. Кристаллография, 69 (3), 494 (2024). DOI: 10.31857/S0023476124030123
- R. Siegele, G.C. Weatherly, H.K. Haugen. Appl. Phys. Lett., 66 (11), 1319 (1995). DOI: 10.1063/1.113228
- P. Ericsson, S. Bengtsson. Appl. Phys. Lett., 71 (16), 2310 (1997). DOI: 10.1063/1.120058
- B.S. Li, C.H. Zhang, H.H. Zhang, Y. Li, G. Yin, J. Liu, Z. Liu, H.R. Liu, Z.X. Zhao, Y.Q. Han, Z.L. Yu, X.Q. Feng. Nucl. Instrum. Meth. B, 269, 739 (2011). https://doi.org/10.1016/j.nimb.2010.11.079
- K. Ono, M. Mjamoto, H. Kurata, S. Takahashi, S. Maekawa. J. Appl. Phys., 126, 135104 (2019). DOI: 10.1063/1.5118994
- X. Huang, Y. Xie, M. Balooch, S. Lubner, P. Hosemann. J. Appl. Phys., 132, 025106 (2022). https://doi.org/10.1063/5.0096802
© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук