Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10874
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
35
Распределение количества просмотров по годам:
888113
832330
803422
716137
618181
592311
543121
482227
579476
723496
718359
658965
659704
663489
642422
665134
689878
703620
613387
645549
606023
769766
782690
755683
727174
780762
791348
758340
729880
715253
619310
512039
355805
229343
130984
28651
2373
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
168
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
42

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
32
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
25
Влияние деформации на энергетический спектр валентной зоны в двумерных полупроводниковых системах
25
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
24
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
22
Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении
21
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
21
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
20
Линейная по току энергетическая неоднородность квазичастиц в полупроводниковых слоях
20
Переход металл-диэлектрик в бесщелевых полупроводниках p-Hg1-xCdxTe с x~0.15
20
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
20
Новые книги по полупроводникам
20
Диффузионное перераспределение марганца в GaAs
20
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
19
Гашение экситонной люминесценции в результате ударной ионизации и механизмы релаксации электронов в сульфиде кадмия
19
Шум 1/f и долговременная релаксация фотопроводимости в GaAs
19
Влияние крупномасштабных флуктуаций потенциала на явления переноса в полуизолирующих кристаллах СdТе<Сl>
19
Новые книги по полупроводникам
19
Скорость введения и профиль концентрации A-центров в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
19
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
19
Статья
Просмотров
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
2214
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
2186
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2107
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2071
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2061
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2051
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
1991
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
1986
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
1979
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
1976
Именной указатель
1969
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
1960
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
1956
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
1950
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
1938
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
1914
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
1902
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
1896
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
1890
Переменная валентность в твердом растворе Pb1-xSnxSe (x=0.15), легированном натрием
1889
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
1885
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
1883
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
1879
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
1875
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
1875
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
1874
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
1872
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
1869
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
1867
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
1867
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
1864
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
1862
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
1860
Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов
1859
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
1857
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
1856
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
1856
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
1853
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
1849
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
1848
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
1848
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P0.78Sn0.22Se<Mn>
1847
Исследование процессов квазибаллистического транспорта электронов в прямозонных полупроводниковых соединениях типа AIIIBV
1844
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
1842
AgGa --- новй ян-теллеровский акцептор в GaAs
1842
Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
1840
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
1840
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
1839
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
1835
Гальваномагнитные явления в кристаллах n-Hg1-x-yCdxMnyTе и n-Hg1-yMnyTe с varepsilong>0
1833

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme