Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10874
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
35
Распределение количества просмотров по годам:
882713
827120
797941
710978
613573
587904
538740
478891
575789
719393
714386
655128
655731
659737
638715
661366
686179
699531
609862
641759
602492
765396
778349
751701
723192
776417
787101
754131
725866
711066
615115
507847
351969
226165
127899
26968
1786
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
168
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
42

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
16
К теории плазменных волн в слоистых структурах
16
Эволюция флуктуационного потенциала при обеднении канала полевого GaAs-транзистора
15
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
14
Получение МОС гидридным методом при пониженном давлении и фотолюминесцентные исследования GaAs/AlGaAs квантово-размерных структур
14
Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в n-Si
13
Многофотонное поглощение компоненты бихроматической волны в полупроводнике в скрещенных электрическом и магнитном полях
13
Шум 1/f и долговременная релаксация фотопроводимости в GaAs
12
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
12
Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в p+-p0-pi-n0-структурах арсенида галлия
11
Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах в p-Si
11
Диффузионное перераспределение марганца в GaAs
11
О влиянии неоднородности распределения электронов и дырок на спектры излучения электронно-дырочной плазмы
11
О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках n- и p-типа
11
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
11
Дислокационная проводимость восстановленного рутила
11
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на германиевых подложках
10
Кинетические явления в одноосно деформированном p-Hg1-xCdxTe с varepsilong>0
10
Особенности рассеяния коротких световых импульсов на светоиндуцированных решетках в кремнии
10
Предметный указатель
10
Статья
Просмотров
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
2192
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
2170
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2093
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2061
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2050
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2037
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
1974
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
1971
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
1965
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
1964
Именной указатель
1957
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
1948
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
1945
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
1937
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
1927
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
1903
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
1890
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
1882
Переменная валентность в твердом растворе Pb1-xSnxSe (x=0.15), легированном натрием
1877
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
1873
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
1870
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
1869
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
1868
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
1868
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
1862
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
1862
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
1861
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
1858
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
1854
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
1851
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
1851
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
1851
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
1850
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
1847
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
1846
Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов
1845
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
1843
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
1840
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
1840
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
1840
Исследование процессов квазибаллистического транспорта электронов в прямозонных полупроводниковых соединениях типа AIIIBV
1834
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P0.78Sn0.22Se<Mn>
1834
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
1832
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
1831
Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
1830
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
1830
AgGa --- новй ян-теллеровский акцептор в GaAs
1828
Гальваномагнитные явления в кристаллах n-Hg1-x-yCdxMnyTе и n-Hg1-yMnyTe с varepsilong>0
1823
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
1822
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
1820

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme