Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1341423
1245585
1198306
1070998
915271
876162
799876
713052
845947
1027609
1020402
954546
948448
941625
921040
953979
976007
1008685
890884
939419
878799
1105061
1116452
1095673
1055947
1136798
1148995
1103422
1061174
1096986
997204
879329
680048
520210
390584
195131
121879
43486
1572
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Предметный указатель
42
Gamma X-перенос в реальном пространстве: вклад рассеяния на междолинных фононах
41
Рекомбинационные свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx
40
Немонотонная зависимость ширины запрещенной зоны в пленке бесщелевого полупроводника
40
Модель объемного шума 1/f в полупроводниках
39
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии III. Теория растворимости
39
Именной указатель
38
Электрические и оптические свойства полумагнитных твердых растворов Hg1-x-yCdxMnySe
38
Новые книги по полупроводникам
37
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
37
Исследование природы шума в нестабильных GaP : N-светодиодах
36
Увеличение эффективности электростатического механизма дефектообразования под действием каналированного пучка частиц
36
Особенности поведения примеси хрома в теллуриде свинца
36
Микронеоднородности и примесная проводимость в пленках стеклообразного As2Se3, легированного Bi
36
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
36
Влияние импульсного лазерного облучения на профиль подвижности и проводимости эпитаксиальных слоев GaAs
36
Состояния Eu и Mn в теллуриде свинца
36
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
35
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
35
Фотолюминесцентные свойства твердых растворов In0.53Ga0.47As, легированных рением
35
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
3285
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
3183
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
3102
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
3066
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
3030
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2905
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2881
Новые книги по полупроводникам
2878
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2867
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2864
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2862
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2855
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2846
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2844
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2837
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2822
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2820
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2813
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2812
Именной указатель
2811
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2810
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2809
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2808
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2806
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2802
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2800
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2798
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2793
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2789
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2781
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
2763
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
2762
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2749
Диффузия ванадия в кремнии
2749
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии III. Теория растворимости
2745
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2744
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2743
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2741
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2740
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
2737
Новые книги по полупроводникам
2737
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2737
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2735
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2734
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2734
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2727
Влияние глубоких уровней на свойства нелегированного PbTe
2723
Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции сверхрешеток на основе халькогенидов свинца
2722
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2721
Кинетика фотоотклика и спектры Q-DLTS гетероструктур с изолирующим слоем Al0.3Ga0.7As, изготовленных МОС гидридным методом
2720
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Якушева Н.А.
2
Гавалешко Н.П.
2
Агринская Н.В.
2
Терехов В.А.
2
Мороз С.Е.
2
Шмелев Г.М.
2
Филиппов И.М.
2
Тимченко И.Н.
2
Вертелецкий П.В.
2
Разбегаев В.Н.
2
Аброян И.А.
2
Хохлов Д.Р.
2
Чесноков С.Н.
2
Никорич А.В.
2
Рябова Л.И.
2
Широкова Н.А.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Стук А.А.
2
Алексеев М.А.
2
Велецкас Д.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Поплавной А.С.
2
Константинов О.В.
2
Сабликов В.А.
2
Гершензон Е.М.
2
Баранов А.Н.
2
Соловьев В.А.
2
Уманский В.Е.
2
Рагуотис Р.
2
Барановский С.Д.
2
Шикторов П.Н.
2
Сулейменов Т.
2
Мисюра И.В.
2
Качлишвили З.С.
2
Бродовой А.В.
2
Лашкарев Г.В.
2
Манассон В.А.
2
Радауцан С.И.
2
Еремин В.К.
2
Строкан Н.Б.
2
Гинзбург Л.П.
2
Иванюкович В.А.
2
Карась В.И.
2
Половцев И.С.
2
Виноградова Г.И.
2
Гогаладзе Д.Т.
2
Пахаруков Ю.В.
2
Брунков П.Н.
2
Сеничкин А.П.
2
Урсаки В.В.
2
Кондратьева О.Г.
2
Неустроев Л.Н.
2
Холоднов В.А.
2
Степанцова И.В.
2
Аникин М.М.
2
Евстропов В.В.
2
Попов И.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сыркин А.Л.
2
Галдикас А.
2
Кропотов Г.И.
2
Азимов Г.К.
2
Кияк С.Г.
2
Ващенко В.А.
2
Синкевич В.Ф.
2
Бобылев Б.А.
2
Караваев Г.Ф.
2
Неизвестный И.Г.
2
Супрун С.П.
2
Шумский В.Н.
2
Беляков Л.В.
2
Румянцев Б.Л.
2
Сресели О.М.
2
Стыс Л.Е.
2
Захарова А.А.
2
Кольцов Г.И.
2
Якименко А.Н.
2
Курова И.А.
2
Лупачева А.Н.
2
Фоломин П.И.
2
Грехов А.М.
2
Карзанов В.В.
2
Демидов Е.С.
2
Васильев А.Э.
2
Касаткин В.А.
2
Барышев Н.С.
2
Горбатюк И.Н.
2
Тишкин М.В.
2
Тетеркин В.В.
2
Мищук О.Н.
2
Зайнабидинов С.З.
2
Байрамов М.А.
2
Веденеев А.С.
2
Васильев А.М.
2
Кулешин В.А.
2
Мокрушин А.Д.
2
Мохов Е.Н.
2
Свирида С.В.
2
Карпович И.А.
2
Бедный Б.И.
2
Царенков Б.В.
2
Савельев В.П.
2
Дугаев В.К.
2
Петров П.П.
2
Таиров Ю.М.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme