Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1285994
1194335
1150450
1027832
878120
842367
769192
685553
814270
990585
983064
916245
912373
906236
885553
918420
941031
970002
857136
902709
845370
1063189
1077015
1048220
1011400
1096330
1102317
1061477
1012902
1047221
951658
835211
640400
485711
359729
177347
107887
31782
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
31
Анизотропия валентной зоны и стимулированное излучение горячих дырок p-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях
27
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
27
Прыжковая генерация носителей заряда в истощенных слоях полупроводников с непрерывным спектром локализованных состояний
26
Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga
25
Легирование слоев In0.53Ga0.47As самарием
24
О диффузии водорода в кремнии
24
Кинетика фотоотклика и спектры Q-DLTS гетероструктур с изолирующим слоем Al0.3Ga0.7As, изготовленных МОС гидридным методом
23
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
23
Длина когерентности в полупроводниковой области контакта сверхпроводник-полупроводник с учетом непараболичности зоны
23
Эффективная модуляция излучения и N-образная ВАХ для фототока при электропоглощении света в двойной P-i-N-гетероструктуре
23
Увлечение дырок ИК излучением в одноосно деформированном полупроводнике
22
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
22
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
21
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
21
Аномально-ускоренная диффузия фосфора из ионно-имплантированного слоя кремния под давлением
21
Новые книги по полупроводникам
21
Новые книги по полупроводникам
21
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
21
Фотоэффект в гетероструктурах In2O3/CuInSe2, полученных методом термического окисления
21
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
3156
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
3053
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2969
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2923
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2914
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2793
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2769
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2768
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2757
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2746
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2745
Новые книги по полупроводникам
2732
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2726
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2721
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2721
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2712
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2709
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2702
Именной указатель
2700
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2700
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2700
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2698
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2696
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2691
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2690
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2683
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2675
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2673
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2670
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2657
Диффузия ванадия в кремнии
2653
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2640
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
2636
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2632
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2631
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2629
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2627
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2627
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2624
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
2622
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2621
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
2619
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2614
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2614
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P0.78Sn0.22Se<Mn>
2613
Численный расчет профилей радиационно-стимулированной диффузии примесей для случая быстрого термического отжига
2611
Влияние глубоких уровней на свойства нелегированного PbTe
2611
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2610
Новые книги по полупроводникам
2609
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
2607
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Якушева Н.А.
2
Гавалешко Н.П.
2
Агринская Н.В.
2
Терехов В.А.
2
Мороз С.Е.
2
Шмелев Г.М.
2
Филиппов И.М.
2
Тимченко И.Н.
2
Вертелецкий П.В.
2
Разбегаев В.Н.
2
Аброян И.А.
2
Хохлов Д.Р.
2
Чесноков С.Н.
2
Никорич А.В.
2
Рябова Л.И.
2
Широкова Н.А.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Каплан Б.И.
2
Коллюх А.Г.
2
Стук А.А.
2
Алексеев М.А.
2
Велецкас Д.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Поплавной А.С.
2
Константинов О.В.
2
Сабликов В.А.
2
Гершензон Е.М.
2
Баранов А.Н.
2
Вирт И.С.
2
Рагуотис Р.
2
Барановский С.Д.
2
Шикторов П.Н.
2
Сулейменов Т.
2
Мисюра И.В.
2
Качлишвили З.С.
2
Бродовой А.В.
2
Лашкарев Г.В.
2
Манассон В.А.
2
Регель А.Р.
2
Насрединов Ф.С.
2
Некрасов В.Ю.
2
Трухин В.Н.
2
Прокофьева Л.В.
2
Радауцан С.И.
2
Пека Г.П.
2
Токалин О.А.
2
Еремин В.К.
2
Строкан Н.Б.
2
Гинзбург Л.П.
2
Иванюкович В.А.
2
Карась В.И.
2
Брунков П.Н.
2
Шепекина Г.В.
2
Кондратьева О.Г.
2
Неустроев Л.Н.
2
Холоднов В.А.
2
Степанцова И.В.
2
Аникин М.М.
2
Евстропов В.В.
2
Попов И.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сыркин А.Л.
2
Кропотов Г.И.
2
Азимов Г.К.
2
Кияк С.Г.
2
Бобылев Б.А.
2
Караваев Г.Ф.
2
Неизвестный И.Г.
2
Супрун С.П.
2
Шумский В.Н.
2
Беляков Л.В.
2
Румянцев Б.Л.
2
Сресели О.М.
2
Стыс Л.Е.
2
Кольцов Г.И.
2
Безлюдный С.В.
2
Курова И.А.
2
Лупачева А.Н.
2
Фоломин П.И.
2
Грехов А.М.
2
Карзанов В.В.
2
Демидов Е.С.
2
Васильев А.Э.
2
Касаткин В.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Ковалюк З.Д.
2
Тишкин М.В.
2
Гаськов А.М.
2
Мищук О.Н.
2
Ходжаев М.Д.
2
Байрамов М.А.
2
Веденеев А.С.
2
Ждан А.Г.
2
Васильев А.М.
2
Кулешин В.А.
2
Мокрушин А.Д.
2
Карпович И.А.
2
Бедный Б.И.
2
Райчев О.Э.
2
Царенков Б.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Шейнкман М.К.
2
Дугаев В.К.
2
Петров П.П.
2
Таиров Ю.М.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme