Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10857
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
18
Распределение количества просмотров по годам:
850490
797819
765974
682707
589074
566249
518547
460687
555307
694341
690156
632404
632682
636458
616249
638304
662821
673976
587897
619588
581866
739677
752252
727778
699085
751445
762692
731476
702510
685569
588375
480642
328755
206044
109472
16735
1251
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
99
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Новые книги по полупроводникам
24
Новые книги по полупроводникам
23
Влияние примесей In и Cl на линейное электропоглощение в CdTe
23
Влияние глубоких центров, введенных в GaAs1-xPx ионной имплантацией и электронным облучением, на спектральные характеристики фоточувствительных структур
22
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
22
Модель аномальной фотопроводимости
22
О генерации звука при воздействии на поверхность полупроводника лазерного излучения
22
Электрофизические свойства суперионного Cu2-xSe
22
О частотных свойствах изотипного контакта к высокоомному полупроводнику
22
Спектральные и временные характеристики термически делокализованных экситонов в твердом растворе CdS1-xSex
21
Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков
21
Отрицательная фотопроводимость на пороге возбуждения осциллистора
21
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
21
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
21
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
21
О "нулевых осцилляциях" в структурах с двумерным электронным газом
21
Исследование флуктуаций удельного сопротивления в gamma-легированном кремнии
21
Вертикальный транспорт и фотолюминесценция в сверхрешетках
21
Явления переноса в полупроводниках при электрон-фононном увлечении
20
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
20
Статья
Просмотров
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
2104
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
2089
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2029
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
1988
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
1982
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
1974
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
1920
Именной указатель
1907
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
1905
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
1901
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
1899
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
1888
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
1884
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
1881
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
1862
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
1841
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
1832
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
1827
Переменная валентность в твердом растворе Pb1-xSnxSe (x=0.15), легированном натрием
1826
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
1814
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
1810
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
1805
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
1805
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
1805
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
1804
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
1802
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
1794
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
1793
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
1793
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
1792
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
1791
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
1786
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
1786
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
1784
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
1784
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
1784
Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов
1782
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
1781
Исследование процессов квазибаллистического транспорта электронов в прямозонных полупроводниковых соединениях типа AIIIBV
1779
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
1777
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P0.78Sn0.22Se<Mn>
1777
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
1775
Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
1772
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
1770
AgGa --- новй ян-теллеровский акцептор в GaAs
1768
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
1767
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
1766
Гальваномагнитные явления в кристаллах n-Hg1-x-yCdxMnyTе и n-Hg1-yMnyTe с varepsilong>0
1761
Особенности электрофизических и фотоэлектрических свойств монокристаллов CdxHg1-xTe, подвергнутых облучению
1759
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
1757

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme