Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10956
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
Распределение количества просмотров по годам:
1001720
937614
901493
803896
693227
661660
606831
539799
647974
806405
800320
738074
738869
741709
718718
743760
769039
785378
687177
722234
676621
858278
870976
840374
812162
869955
881941
841204
812542
809004
716953
608981
441304
307730
201575
76453
22748
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
О механизме формирования скоплений междоузельных атомов в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
30
Новые книги по полупроводникам
29
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
27
Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния
27
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
27
Теория квазибаллистического транспорта электронов в биполярном гетеротранзисторе с сильно легированной субмикронной базой
27
Теория формирования эмиссионного потока Gamma-электронов из полупроводника с отрицательным электронным сродством
27
Новые книги по полупроводникам
26
Определение приповерхностного изгиба зон по кинетике барьерно-ловушечной фотоэдс
26
Гальваномагнитные явления в сплавах Pb0.75Sn0.25Te с малой концентрацией In (0.1 ат%) вблизи бесщелевого состояния
26
Влияние электронного облучения на характер низкотемпературной проводимости и емкости в кремниевых МДП структурах
26
Новый тип осцилляции кинетических коэффициентов в квантовых структурах
25
О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках n- и p-типа
25
Электрофизические свойства пленок PbTe, облученных ионами аргона
24
Методика и результаты исследования кинетики поверхностной ЭДС в GaAs
24
Горячие носители в узкощелевых полупроводниках в сильном электрическом поле
24
Пикосекундная фотопроводимость в CdCr2Se4
24
Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков
24
Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в p-GaSb
24
Кинетика возгорания люминесценции остывающей электронно-дырочной плазмы в кристалле CdSe
24
Статья
Просмотров
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
2475
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
2473
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2394
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2336
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2303
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2276
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2224
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2221
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2216
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2209
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2208
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2203
Именной указатель
2201
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2188
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2167
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2155
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2150
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2138
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2133
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2131
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2122
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2120
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2117
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2114
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
2111
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2111
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2111
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2105
Переменная валентность в твердом растворе Pb1-xSnxSe (x=0.15), легированном натрием
2104
Новые книги по полупроводникам
2103
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2099
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2094
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2093
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2092
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2092
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
2089
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2086
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2086
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
2082
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2080
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2080
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
2079
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
2079
Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
2077
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2077
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2073
Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов
2071
Особенности рассеяния коротких световых импульсов на светоиндуцированных решетках в кремнии
2070
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P0.78Sn0.22Se<Mn>
2069
Спектр поглощения структур с квантовыми ямами
2061

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme