Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10956
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
Распределение количества просмотров по годам:
993600
930450
894045
797076
687756
656795
602153
535393
643402
801207
795322
733203
734237
737019
714279
738441
763793
780095
682221
717115
671836
852255
865174
834876
806494
864300
876515
836042
807392
802689
710522
602903
436067
302840
196729
73001
20224
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
31
Тонкая структура спектров связанного экситона в тетрагональном дифосфиде цинка
26
Оптические свойства монокристаллов AgGaTe2
26
Новые книги по полупроводникам
25
Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции delta-легированного GaAs
24
О механизме формирования скоплений междоузельных атомов в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
24
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
24
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
24
Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных гетероструктурах GaAs/n-(Al, Ga)As
24
Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния
24
Переход металл-диэлектрик в твердых растворах Рb1-xМnxТе(In)
23
Распространение звука в расплавах селена и теллура
23
Эффект псевдолегирования аморфного кремния
23
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
23
Электрофизические свойства суперионного Cu2-xSe
22
Динамика проявлений флуктуационного потенциала и поверхностного рассеяния в кинетических характеристиках инверсионного Si-n-канала
22
О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках n- и p-типа
22
О возможной природе остаточных глубоких центров в фосфиде индия
22
Спектральная память фотопроводимости высокоомного ZnSe
22
Спектр поглощения структур с квантовыми ямами
22
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
2461
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
2459
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2380
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2322
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2293
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2264
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2210
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2204
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2202
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2194
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2191
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2189
Именной указатель
2188
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2177
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2157
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2143
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2139
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2125
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2118
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2115
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2109
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2104
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2103
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2100
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
2099
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2096
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2096
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2092
Переменная валентность в твердом растворе Pb1-xSnxSe (x=0.15), легированном натрием
2089
Новые книги по полупроводникам
2082
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2082
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2081
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2080
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
2079
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2078
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2077
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2070
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2068
Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
2067
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2066
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
2066
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2064
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2063
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
2063
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
2059
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2058
Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов
2056
Особенности рассеяния коротких световых импульсов на светоиндуцированных решетках в кремнии
2054
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P0.78Sn0.22Se<Mn>
2052
Спектр поглощения структур с квантовыми ямами
2048

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme