Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10909
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
70
Распределение количества просмотров по годам:
930116
869920
839520
748012
645609
617731
566124
502661
604570
754773
749322
689074
690515
693843
672378
695783
720949
735738
641607
674379
632534
803574
816620
787819
758562
814149
824240
788865
762112
750112
656019
549460
389614
260314
160004
47961
7682
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
348
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
70

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
26
Теория фотогальванических эффектов в кристаллах без центра инверсии простой зоны. Гармоническое приближение
23
Аномалии низкотемпературной проводимости канала с 2D-электронами гетероструктуры n-AlxGa1-xAs/GaAs
22
Новые книги по полупроводникам
19
Циклотронный резонанс тяжелых дырок Ge с положительными эффективными массами в условиях многопучкового стриминга в E|| B полях
18
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
18
Флуктуации дна зоны проводимости в твердых растворах свинец-олово-селен
17
Горячие носители в узкощелевых полупроводниках в сильном электрическом поле
17
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии II. Теория миграции, сравнение с экспериментом
17
Шум 1/f и долговременная релаксация фотопроводимости в GaAs
17
Анизотропия длинноволнового оптического поглощения монокристаллов CuInTe2
17
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
17
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
17
Особенности инжекции неосновных носителей заряда в анизотипной ПТДП структуре
17
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
17
Ширина запрещенной зоны в твердом растворе GaSb1-xBix
16
Исследование потерь энергии горячими электронами в фосфиде индия эмиссионным методом
16
Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga
16
Глубокие центры в монокристаллах и тонких слоях антимонида индия
16
Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом
16
Статья
Просмотров
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
2323
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
2298
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2207
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2172
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2162
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2134
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2071
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2071
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2067
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2061
Именной указатель
2060
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2058
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2048
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2043
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2030
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2014
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
1990
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
1982
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
1980
Переменная валентность в твердом растворе Pb1-xSnxSe (x=0.15), легированном натрием
1979
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
1978
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
1977
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
1976
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
1963
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
1961
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
1961
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
1960
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
1956
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
1953
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
1953
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
1951
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
1949
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
1948
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
1948
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
1945
Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
1939
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
1938
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
1937
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
1934
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
1933
Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов
1933
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
1933
Новые книги по полупроводникам
1932
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P0.78Sn0.22Se<Mn>
1932
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
1931
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
1927
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
1924
AgGa --- новй ян-теллеровский акцептор в GaAs
1922
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
1919
Исследование процессов квазибаллистического транспорта электронов в прямозонных полупроводниковых соединениях типа AIIIBV
1917

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme