"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
Кияк С.Г., Крэчун В., Маненков А.А., Медиану Р., Михайлова Г.Н., Михэилеску И.Н., Прохоров А.М., Урсу И.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Исследованы особенности легирования кремния методом неравновесной твердофазной диффузии бора при локальном нагреве структуры примесь-полупроводник непрерывным и сканируемым излучением СO2-лазера. Методом спектроскопии вторичных ионов определены концентрационные профили распределения бора в легированных слоях, сформированных путем облучения структур примесь-полупроводник как со стороны полупроводника, так и со стороны пленки легирующего элемента. В оптимальных режимах облучения получены легированные слои субмикронной толщины. Исследованы вольтамперные характеристики сформированных диодных структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.