"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффективность образования точечных дефектов в n- и p-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K
Витовский Н.А., Емцев В.В., Машовец Т.В., Михнович В.В., Полоскин Д.С.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Проанализированы соотношения вероятностей аннигиляции и разделения пар Френкеля в германии в различных условиях облучения электронами с энергией ~1 МэВ и gamma-лучами 60Со. Рассмотрено влияние на вероятность разделения пары Френкеля следующих факторов: температуры, при которой производится облучение, энергии бомбардирующих частиц или квантов, интенсивности облучения, знака и концентрации равновесных носителей заряда, времени жизни неравновесных носителей заряда в облучаемом материале. Объяснены различия сечений дефектообразования, экспериментально наблюдаемых в разных условиях облучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.