"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Магнитные и электрические свойства Hg1-xEuxTe и Hg1-xEuxSe
Крылов К.Р., Пономарев А.И., Цидильковский И.М., Гавалешко Н.П., Хомяк В.В.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

На образцах Hg1-xEuxTe (0<x<0.07) и Hg1-xEuxSe (0< x< 0.01) в интервале T=1.7/300 K измерены магнитная восприимчивость (chi), сопротивление и эффект Холла. При T>80 для Hg1-xEuxTe и T>10 K для Hg1-xEuxSe chi(T) описывается законом Кюри-Вейсса, что позволило определить концентрацию ионов европия и знак обменного взаимодействия между ними. В интервале 200/300 K в образцах Hg1-xEuxTe достигается область собственной проводимости. Определены эффективные массы электронов mc и величина щели varepsilong= varepsilonGamma6 -varepsilonGamma8. Для образцов HgEuSe определены концентрации электронов и их эффективные массы. Уменьшение холловской подвижности (в 3-5 раз) по сравнению с HgSe обусловлено, по-видимому, дополнительным рассеянием на атомах Еu.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.