Ионы азота, ускоренные потенциалом 130-140 кВ, внедряли в кремний, нагретый до T_i=700-1100^oС. Плотности ионного тока были 1-5 мкА/см², дозы не превышали 5·10¹⁷ см^-2. Методами резерфордовского обратного рассеяния, послойной оже-спектроскопии и электронной микроскопии исследованы начальные стадии формирования нитрида в захороненных слоях. Обнаружено, что рост T_i от 700 до 900^oС сопровождается существенным снижением дефектности приповерхностного слоя кремния при сохранении азота в пределах расчетного профиля пробегов ионов. При T_i=900^oС азот достаточно подвижен и уже при дозе ~5·10¹⁶ см^-2 стягивается в кристаллические выделения alpha-Si₃N₄ в области R_p. Начиная с T_i~=1000^oС азот не удерживается в захороненном слое и в процессе облучения стекает к поверхности. Заметных потерь его из-за испарения или диффузии вглубь не наблюдается. Отмечено, что предельные T_i, при которых азот накапливается в захороненном слое, соответствуют предельным температурам, при которых легкие ионы еще вводят крупные структурные нарушения. Сделан вывод, что вводимые облучением нарушения структуры являются центрами зарождения и роста фазы нитрида. При дополнительном отжиге 1150^oС в течение 3 ч азот, оказавшийся вне стабильных выделений, перераспределяется между поверхностным и захороненным слоями, стягиваясь в узкие концентрационные пики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.