"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Тийс С.А., Плотников А.Е.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Ионы азота, ускоренные потенциалом 130-140 кВ, внедряли в кремний, нагретый до Ti=700-1100oС. Плотности ионного тока были 1-5 мкА/см2, дозы не превышали 5·1017 см-2. Методами резерфордовского обратного рассеяния, послойной оже-спектроскопии и электронной микроскопии исследованы начальные стадии формирования нитрида в захороненных слоях. Обнаружено, что рост Ti от 700 до 900oС сопровождается существенным снижением дефектности приповерхностного слоя кремния при сохранении азота в пределах расчетного профиля пробегов ионов. При Ti=900oС азот достаточно подвижен и уже при дозе ~5·1016 см-2 стягивается в кристаллические выделения alpha-Si3N4 в области Rp. Начиная с Ti~=1000oС азот не удерживается в захороненном слое и в процессе облучения стекает к поверхности. Заметных потерь его из-за испарения или диффузии вглубь не наблюдается. Отмечено, что предельные Ti, при которых азот накапливается в захороненном слое, соответствуют предельным температурам, при которых легкие ионы еще вводят крупные структурные нарушения. Сделан вывод, что вводимые облучением нарушения структуры являются центрами зарождения и роста фазы нитрида. При дополнительном отжиге 1150oС в течение 3 ч азот, оказавшийся вне стабильных выделений, перераспределяется между поверхностным и захороненным слоями, стягиваясь в узкие концентрационные пики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.