"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Неэквивалентные состояния примеси фосфора в кристаллах CdTe
Агринская Н.В., Матвеев О.А., Терентьев А.И., Шашкова В.В.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Исследованы эффект Холла, фотолюминесценция и оптическое поглощение в кристаллах CdTe, легированных фосфором в процессе выращивания. Оценены концентрация мелкого акцептора, связанного с РТе (N=5·1017 см-3), степень компенсации (K=ND/NA=0.8) и энергия ионизации, полученная с учетом влияния крупномасштабных флуктуации потенциала (varepsilon=0.06 эВ). Оптическая энергия ионизации центров РТе (varepsilon0=0.07 эВ) и их концентрация были получены также из спектров оптического поглощения для переходов электронов с заполненных уровней РТе в зону проводимости и для переходов дырок из отщепленной валентной зоны на незаполненные уровни РТе. Отжиг при 500oС привел к уменьшению почти на порядок концентрации центров РТе, увеличению степени компенсации и к появлению глубокого уровня Ev+1.2 эВ, связанного с центром, включающим Р. Предполагается, что наблюдаемые изменения связаны с образованием комплексов Р с донорными дефектами (междоузельным Cdi или РСd), а также с переходом части атомов Р из акцепторного состояния (РТе) в донорное (PCd). Сделан вывод, что с помощью равновесных термообработок не удается получить достаточно низкоомные кристаллы p-типа; перспективными представляются неравновесные способы: ионное легирование с последующим лазерным или электронным отжигом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.