"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
Ендриховский С.А., Ройзин Я.О., Свиридов В.Н., Цыбесков Л.В.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур кристаллический кремний-аморфный гидрированный кремний. Обнаружено, что в результате пропускания тока плотностью js<=105 А/см2 необратимо изменяется вид вольтамперных и вольтфарадных характеристик образцов, возрастает спектральная плотность мощности токовых шумов, появляется дополнительный максимум в спектрах фототока короткого замыкания в области энергий 1.5 эВ. Полученные результаты интерпретируются на основе представлений о локальной эффузии водорода. Данные измерений шумов использованы для расчета концентраций ловушек в a-Si : Н.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.