"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния
Голикова О.А., Домашевская Э.П., Казанин М.М., Кудоярова В.Х., Мездрогина М.М., Сорокина К.Л., Терехов В.А., Тростянский С.Н.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Приводятся результаты изучения взаимосвязи структурных особенностей пленок аморфного гидрированного кремния, полученных методом ВЧ разложения моносилана, и их электрических и фотоэлектрических свойств. Исследовано влияние содержания водорода, величины соотношения концентраций SiH- и SiH2-комплексов (gamma), степени разупорядочения сетки на плотность локализованных состояний в щели подвижности и положение уровня Ферми (varepsilonF). В ряде случаев, варьируя условия получения пленок, удается обеспечить перемещение varepsilonF к краю подвижности зоны проводимости в пределах до 0.3 эВ. Установлено, что величина gamma не является решающим фактором в изменении ширины "хвоста" плотности состояний зоны проводимости и сдвига varepsilonF. Изменение числа оборванных Si-Si-связей также не приводит к смещению varepsilonF, хотя величина плотности состояний вблизи varepsilonF возрастает. Обнаружена трансформация плотности состояний, которая коррелирует со сдвигом varepsilonF (расплыванием максимума плотности к середине щели подвижности); наблюдаемый эффект интерпретируется в рамках модели "слабой" Si-Н-Si-связи.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.