"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
Брук А.С., Говорков А.В., Мильвидский М.Г., Нуллер Т.А., Шленский А.А., Югова Т.Г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Изучено влияние термообработки в протоке Н2 и под расплавом Ga-Al-As на распределение интенсивности микрокатодолюминесценции (JМКЛ) по толщине слоев и спектры фотолюминесценции (ФЛ) легированных Sn или Те гомоэпитаксиальных слоев (ЭС) GaAs, полученных методом ЖФЭ. Были изучены слои толщиной h~80, 60, 45 и 30 мкм, полученные путем химического утоньшения всей поверхности структуры или ступеньками. Показано, что термообработка в протоке Н2 приводит к существенному (в 4-10 раз) падению Jмкл по всей толщине слоя с h > 40 мкм, при этом в ЭС, легированных Sn, это падение значительно сильнее, чем при легировании Те. В ЭС, легированных Sn, с h<40 мкм изменение JМКЛ существенно меньше. Термообработка под расплавом Ga-Al-As приводит к восстановлению JМКЛ в областях, примыкающих к поверхности ЭС и к подложке, в ЭС, легированных Sn. В ЭС, легированных Те, восстановления JМКЛ не происходит после такой термообработки. Полученные результаты объясняются с позиции влияния типа и концентрации собственных точечных дефектов структуры, а также их диффузии и взаимодействия в процессе различных термообработок на рекомбинационные параметры эпитаксиальных слоев GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.