"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аномально-ускоренная диффузия фосфора из ионно-имплантированного слоя кремния под давлением
Васин А.С., Окулич В.И., Пантелеев В.А.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Исследована диффузия фосфора в кремний из ионно-имплантированного слоя при 800-1000oС в атмосфере аргона при давлении до 2 кбар. Доза внедренного фосфора составила 3·103 мкКл/см2. Обнаружено увеличение глубины проникновения атомов фосфора до сравнению с отжигами без давления. Показано, что эффект нелинейно зависит от длительности барической обработки и на начальных стадиях отжига практически отсутствует. Значительное увеличение времени отжига также приводит к уменьшению ускорения. Обнаруженный эффект объясняется в рамках двухноточной модели диффузии в предположении, что давление увеличивает концентрацию междоузельных атомов фосфора в диффузионной зоне из-за изменения дефектной структуры имплантированного слоя кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.