"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
Лукашевич Т.А., Мизрухин Л.В.
Выставление онлайн: 19 апреля 1989 г.

Изучено изменение концентрации носителей заряда при облучении gamma-квантами 60Co (температура облучения 195, 273, 330 K) зонных кристаллов кремния с равновесной концентрацией электронов n0=(1.3/80)·1012 и дырок p0=(5/30)·1011 см-3. Показано, что в высокоомных кристаллах n-типа с n0 <1·1013 см-3 в отличие от кремния p-типа и n-кремния с n0>1·1013 см-3 начальная скорость удаления носителей заряда существенно зависит от температуры облучения. Полученные экспериментальные результаты объясняются одновременным изменением степени заполнения уровня E-центра и скорости его введения при изменении положения уровня Ферми. Последнее происходит за счет изменения вероятности аннигиляции пар Френкеля в зависимости от зарядового состояния вакансии (V) и междоузельного атома кремния (I), которое определяется положением уровня Ферми и зависит от температуры облучения. Проведенный расчет радиусов захвата V и I при их различных зарядовых состояниях подтвердил полученные экспериментально результаты и сделанное предположение о наличии вблизи середины запрещенной зоны уровней, разделяющих состояния I0/I++ и V-/V0.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.