С экспоненциальной точностью решена задача об ионизации короткодействующего примесного центра (КПЦ) в узкозонном полупроводнике в условиях воздействия: а) высокочастотного (ВЧ) электрического поля, б) постоянных электрического и магнитного полей. Получена зависимость вероятности ионизации КПЦ от ширины разрешенной зоны, частоты ВЧ поля и напряженностей полей. Показано, что учет конечности ширины зоны проводимости приводит к иной зависимости вероятности ионизации от величин напряженностей полей, чем в полупроводниках с параболическим спектром. Результаты расчета могут быть использованы при интерпретации экспериментов по изучению проводимости СP в сильном электрическом и магнитном полях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.