"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
Конников С.Г., Салата О.В., Соловьев В.А., Синицын М.А., Уманский В.Е., Винокуров Д.А.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Исследованы электрофизические свойства тонких гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs, выращенных MOС гидридным методом. Впервые экспериментально продемонстрированы возможности нового метода одновременного определения скорости интерфейсной рекомбинации и диффузионной длины (Ld) неосновных носителей заряда в материале активной облаете двойной гетероструктуры. Показано, что в преднамеренно не легированных слоях n-GaAs диффузионная длина в 2-3 раза превышает Ld в легированных кремнием пленках GaAs, в которых в широком диапазоне концентраций примеси доминирует безызлучательный канал рекомбинации. Исследовано влияние технологических режимов выращивания на величину Ld.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.