"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (теория)
Конников С.Г., Соловьев В.А., Уманский В.Е., Чистяков В.М.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Теоретически рассмотрен новый метод определения электрофизических параметров неосновных носителей заряда в режиме тока, индуцированного электронным зондом, в эпнтаксиальных слоях, толщина которых меньше величины диффузионной длины носителей. Анализируются возможности одновременного определения диффузионной длины и скорости интерфейсной рекомбинации в гетероэпитаксиальных пленках. Показано, что, несмотря на сравнительно сложное теоретическое описание метода, могут быть выбраны условия измерений, при которых искомые параметры определяются по экспоненциальной координатной зависимости сигнала индуцированного тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.