"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние гидростатического давления на концентрацию и подвижность электронов в Cd3-xZnxAs2
Лашкул А.В., Цисовски Ян, Арушанов Э.К., Князев А.Ф.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Исследовались барические зависимости концентрации и подвижности электронов в монокристаллах Cd3-xZnxAs2 с 0<x=<0.33 в области собственной проводимости. Подтверждена экспериментально инверсная зонная структура арсенида кадмия (наблюдался участок роста подвижности с давлением) и прослежена эволюция зонной структуры данных твердых растворов с составом. Определены барические коэффициенты ширины запрещенной зоны и термического зазора для исследованных монокристаллов (gamma0=52±2 мэВ/ГПа; gammat=4±1 мэВ/ГПа); расчеты барических зависимостей подвижности электронов учитывали не только изменение плотности состояний, происходящее симметрично относительно точки перекрытия зон, но и изменение формы волновой и диэлектрической функций, несимметричных относительно этой точки, вызывающих под влиянием давления изменение самой ширины запрещенной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.