"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение МОС гидридным методом при пониженном давлении и фотолюминесцентные исследования GaAs/AlGaAs квантово-размерных структур
Кузьмин И.А., Машевский А.Г., Строганов Д.Р., Федорова О.М., Явич Б.С.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Получены квантово-размерные структуры (КРС), состоящие, из слоев GaAs толщиной от 10 до 300 Angstrem, разделенных барьерными слоями Al0.3Ga0.7As. Структуры выращивались методом газовой эпитаксии в системе Ga(CH3)3-Al(CH3)3-AsH32 в реакторе горизонтального типа при давлении 76 Тор (метод LP MOСVD). На основании исследований энергетического положения и формы экситонных полос фотолюминесценции (77 и 2 K) установлено: а) профиль изменения концентрации алюминия в структурах близок к прямоугольному; б) флуктуации ширины квантово-размерных слоев не превышают двух монослоев; в) указанные флуктуации обусловлены монослойными островковыми неоднородностями на гетерограницах, продольные размеры которых меняются в широких пределах. Полученные результаты свидетельствуют о высоком совершенстве КРС, полученных данным методом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.