"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
Васильев А.Э., Ильин Н.П., Мастеров В.Ф.
Выставление онлайн: 19 апреля 1989 г.

Изложены результаты самосогласованного расчета электронных состояний примесного центра хрома в GaAs и GaP с использованием метода функции Грина, включающего локальное межэлектронное взаимодействие на узле, занятом переходным элементом. Исследована зависимость зарядовых и спиновых состояний хрома от числа "активных" электронов, заполняющих уровни в запрещенной зоне. Эффективный заряд центра стабилен и равен приблизительно +1.1 e (с учетом гибридизации как 3d-, так и 4s-орбиталей хрома). В одноэлектронном спектре примесного центра присутствуют уровни трех типов: резонансные (в валентной зоне для d-электронов со спином "вверх" и в зоне проводимости для d-электронов со спином "вниз"), квазимолекулярные, волновые функции которых имеют заметную амплитуду на орбиталях хрома и ближайших соседей (именно эти уровни заняты "активными" электронами), и квазизонные, волновые функции которых делокализованы по кристаллу. Получено хорошее согласие с экспериментом для энергий "внутрицентровых" переходов, рассчитанных с использованием теоремы Слэтера-Янека. Объяснено отсутствие экспериментальных данных по внутрицентровому переходу для GaP<Cr3+>. Проанализированы причины расхождений с экспериментальными результатами, в частности, для оптических переходов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.