"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кинетические явления в одноосно деформированном p-Hg1-xCdxTe с varepsilong>0
Германенко А.В., Миньков Г.М., Румянцев Е.Л., Рут О.Э., Инишева О.В.
Выставление онлайн: 19 апреля 1989 г.

Исследовано влияние одноосного давления x=<4.2 кбар на гальваномагнитные явления в p-Hg1-xCdxTe (x=0.18-0.21) с NA-ND= (3/40)·1015 см-3 при T=1.8-300 K в магнитных полях до 50 кЭ. Показано, что сильное уменьшение коэффициента Холла в магнитном поле, наблюдаемое при малых деформациях и T<10 K, связано с конкуренцией проводимости по примесной зоне и свободными дырками. Так же как и в p-InSb, в p-HgCdTe энергия ионизации акцепторов уменьшается с ростом давления, обращаясь в нуль при некотором значении chi=chi*, но при этом концентрация свободных дырок остается меньше концентрации нескомпенсированных акцепторов. Предполагается, что при chi>chi* уровень Ферми фиксирован на резонансном акцепторном состоянии. Это подтверждается исследованием осцилляции поперечного магнитосопротивления и коэффициента Холла, которые удалось обнаружить при chi>3.5 кбар.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.