Экспериментально измерены спектры коэффициента оптического усиления в композиционных сверхрешетках на основе GaAs-Al_xGa_1-xAs при температуре 4.2 K и однофотонном возбуждении. Для измерения спектров коэффициента оптического усиления применена методика "тонкой полоски". В спектрах усиления света обнаружена структура, свидетельствующая о конкуренции двух механизмов излучательной рекомбинации в сильно возбужденных сверхрешетках GaAs-Al_xGa_1-xAs. Полученные результаты объясняются в рамках модели плотного экситонного газа в области перехода данных квазичастиц при крайних накачках ввиду экранирования кулоновского взаимодействия в двухкомпонентную электронно-дырочную плазму.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.