"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
Воронин С.Т., Кравченко А.Ф., Шерстяков А.П., Горбушов К.В.
Выставление онлайн: 19 апреля 1989 г.

Установлено, что p+-nu-pi-n+-структуры с S-образной ВАХ имеют участок с сублинейной зависимостью тока от напряжения. На этом участке удельные токовые и вольтовые фоточувствительности максимальны и достигают значений 2.7·105 и 1.5·104 см2/Вт соответственно. Впервые достигнуто значение интегральной вольтовой фоточувствительности 8.3·109 В/Вт. Это связано с наличием встроенного nu-pi-перехода с высотой барьера Delta Enupi=0.81 эВ в высокоомной базе и выполняющего функции слоя умножения и последующего эффективного разделения в области своего ОПЗ. Проводимость высокоомных nu- и pi-областей модулируется протекающим дрейфовым током НЗ, движущихся с амбиполярной скоростью va. На фотовозбуждение в области собственной полосы поглощения исследуемая структура реагирует подобно фотодиоду с обратно смещенным nu-pi-переходом, причем уменьшение сопротивления его сопровождается усилением инжекции из прямо смещенных контактных p+-nu- и pi-n+-переходов, т. е. имеет место инжекционное усиление, что и обеспечивает повышенные значения вольтовой и токовой фоточувствительностей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.