"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в p-GaSb
Баранов А.Н., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Тимченко И.Н., Чугуева З.И., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Выставление онлайн: 19 апреля 1989 г.

Исследованы коэффициент Холла, электропроводность, подвижность и магнитосопротивление в интервале температур 4.2-300 K в образцах p-GaSb с различным содержанием структурных дефектов, полученных жидкостной эпитаксией при изменении соотношения Ga и Sb в растворах-расплавах в присутствии нейтрального растворителя Рb. Изучено влияние этих дефектов на проводимость и рассеяние дырок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.