"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
Бабаев А.А., Теруков E.И., Жданович H.С., Мусабеков Е.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Исследована стационарная ФЛ в пленках a-Si1-xCx : Н и a-Si1-xNx : Н, полученных методом разложения смесей газообразных компонентов в плазме ВЧ тлеющего разряда. Показано, что с увеличением концентрации углерода и азота в пленках наблюдается сдвиг полосы ФЛ в сторону больших энергий, увеличивается полуширина полосы ФЛ и падает квантовая эффективность. Полученные данные могут быть объяснены в рамках модели излучательной рекомбинации, предложенной для интерпретации результатов по ФЛ в пленках a-Si : Н.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.