Рассмотрена возможность возникновения инверсии населенностей на межзонных переходах в полупроводниках в постоянном электрическом поле. Найдено, что при больших значениях электронной подвижности зависимости параметров распределении носителей от электрического поля в вырожденных полупроводниках (а потому и вольтамперные характеристики) носят S-образный характер. Последнее обусловлено особенностями рассеяния вырожденных носителей на оптических фононах. Показано, что условиями, необходимыми для существования инверсии населенностей, являются наличие вырожденных равновесных распределений носителей, их большая подвижность и малая ширина запрещенной зоны, которые реализуются в узкощелевых полупроводниках n-типа. Показано, что в узкощелевых полупроводниках типа n-Cd_xHg_1-xTe в полях E~ E_*~10² В/см имеются инверсия населенностей и усиление электромагнитных волн. По проведенным расчетам, в n-Cd_0.17Hg_0.83Те при T~=4 K в поле E~=300 В/см имеется усиление с коэффициентом усиления порядка 10³ см^-1 на частотах h_omega~0.1 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.