"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности дефектообразования в эпитаксиальном арсениде галлия, содержащем изовалентную примесь индия
Кольченко Т.И., Ломако В.М., Родионов А.В., Свешников Ю.Н.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии исследовались остаточные глубокие центры в слоях GaAs, легированных индием в процессе роста при газофазной эпитаксии. Установлено, что в результате изовалентного легирования происходит изменение концентрации электронных ловушек E1-E3 (Ec-0.185, Ec-0.44, Ec-0.81 эВ). Наблюдаемое по мере легирования уменьшение концентрации ловушки E3 ( EL2) объясняется связыванием части междоузельных атомов As в упругом поле атомов In. Показано, что изменение концентраций E1 и E2, по-видимому, обусловлено дополнительной генерацией вакансий As в результате смещения равновесия реакции разупорядочения, по Френкелю, при введении третьей компоненты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.