"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование лазерной диффузии в GaAs n- и p-типа проводимости
Аракелян В.С., Бархударян Г.Р.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Исследованы излучения неодимового лазера, работающего в режиме свободной генерации и модуляции добротности с арсенидом галлия. Показано, что в зависимости от плотности энергии облучения можно получить обращенный диод, выпрямляющий переход и омический контакт.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.