"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
Берман Л.С., Жепко В.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н.
Выставление онлайн: 19 ноября 1989 г.

Исследованы радиационные дефекты (РД), образующиеся в n-базе кремниевых диодов, облученных электронами с энергией 270 и 300 кэВ. Методом DLTS обнаружены следующие комплексы: вакансия--кислород (A-центр), кислород--углерод--вакансия (K-центр) и межузельный--узельный углерод. Эти РД и РД, образующиеся при облучении кремния электронами с энергией порядка 1 мэВ, идентичны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.