В низкотемпературной области (T=100 K) исследована кинетика релаксации холловской концентрации n_H и подвижности mu_H электронов в инверсионном канале Si-МОП транзисторов в условиях неравновесного заполнения пограничных состояний (ПС). Установлено, что релаксация mu_H и n_H обусловлена медленным обменом электронами между инверсионным каналом и мелкими акцепторными ПС, локализованными в окисле, сопровождающимся изменениями плотности заряженных поверхностных рассеивателей и амплитуды крупномасштабного флуктуационного потенциала. Определены характеристики ПС: плотность ~=2·10¹⁰ см^-2, эффективное сечение захвата ~= 3·10^-26 см² и энергетическая глубина ~=60 мэВ. Обсуждаются преимущества применения развитого подхода для выявления физических причин ограничений и долговременной нестабильности рабочих характеристик МДП транзисторов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.