"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Динамика проявлений флуктуационного потенциала и поверхностного рассеяния в кинетических характеристиках инверсионного Si-n-канала
Байрамов М.А., Веденеев А.С., Ждан А.Г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1989 г.

В низкотемпературной области (T=100 K) исследована кинетика релаксации холловской концентрации nH и подвижности muH электронов в инверсионном канале Si--МОП транзисторов в условиях неравновесного заполнения пограничных состояний (ПС). Установлено, что релаксация muH и nH обусловлена медленным обменом электронами между инверсионным каналом и мелкими акцепторными ПС, локализованными в окисле, сопровождающимся изменениями плотности заряженных поверхностных рассеивателей и амплитуды крупномасштабного флуктуационного потенциала. Определены характеристики ПС: плотность ~=2·1010 см-2, эффективное сечение захвата ~= 3·10-26 см2 и энергетическая глубина ~=60 мэВ. Обсуждаются преимущества применения развитого подхода для выявления физических причин ограничений и долговременной нестабильности рабочих характеристик МДП транзисторов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.