Методом молекулярно-пучковой эпитаксии получена двойная гетероструктура (Аl, Ga)As/GaAs с delta-легированной Si GaAs активной областью и исследованы ее магнитотранспортные и люминесцентные свойства. В спектре фотолюминесценции обнаружены излучательные переходы с участием подзон размерного квантования в delta-легированном арсениде галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.