"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
Джахуташвили Т.В., Михелашвили В.М., Сагинури М.И., Скакун Т.А., Чиковани Р.И.
Выставление онлайн: 19 ноября 1989 г.

На основе полупроводниковых твердых растворов Ga1-xAlxP созданы не имеющие аналогов светоизлучающие приборы с длиной волны 520-550 нм и квантовой эффективностью (1.5/5.4)·10-5. Мощность излучения и сила света негерметизированных кристаллов составили (0.8/2.5)·10-6Вт и 50/200 мккд при токе 20 мА и температуре 293 K (напряжение 2.8/4 В). Быстродействие порядка 60/100 нс. Исследованы их основные электрические и излучательные характеристики в широком диапазоне токового и температурного воздействия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.