"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Резонансы гальваномагнитных эффектов в Hg1-xCdxTe в сильных электрических полях
Якунин М.В., Арапов Ю.Г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1989 г.

Исследованы осцилляции магнитосопротивления и эффекта Холла монокристаллов Hg1-xCdxTe с x~0.2 и с составами, отвечающими окрестностям пересечения термов Gamma6 и Gamma8, в сильном электрическом поле и в магнитных полях до 32 Т. В кристаллах с положительной Eg при температуре выше ~15 K наблюдается серия максимумов магнитосопротивления, обусловленных резонансной оже-рекомбинацией неравновесных носителей, сопровождающейся переходами как на край валентной зоны, так и на акцепторный уровень. Анализируются сильные температурные смещения пиков. В области низких температур проявляются осцилляции, связанные с резонансными переходами с нижнего уровня Ландау зоны проводимости в валентную зону либо на уровень дефекта, сопровождающимися испусканием нескольких LO-фононов. В образцах с малыми по модулю отрицательными Eg обнаружены необычно сильные пики магнитосопротивления, положения которых отвечают механизму резонансных переходов через открывающуюся в магнитном поле щель с испусканием нескольких (до пяти) LO-фононов. Амплитуды данной серии многофононных пиков очень слабо затухают с ростом числа участвующих фононов. Наблюдаются осцилляции коэффициента Холла, указывающие на осцилляции концентрации неравновесных носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.