"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
Барановский С.Д., Гельмонт Б.Л., Голубев В.Г., Иванов-Омский В.И., Осутин А.В.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Показано, что из анализа температурной зависимости формы линии 1s->2p0 фотовозбуждения мелких доноров, обусловленной переходом от коррелированного распределения электронов по примесям к полностью случайному, возможно определение раздельной концентрации доноров и акцепторов в GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.