Проведены исследования взаимосвязи пластической деформации с электрофизическими свойствами эпитаксиальных структур арсенида галлия. Показано, что пластическая деформация в эпитаксиальных структурах развивается крайне неоднородно. Перераспределение интенсивностей полос излучения в спектрах фотолюминесценции структур связывается с ротационной пластичностью, а упрочнение структур - с повышенным содержанием комплексов Te_AsV_Ga на границе раздела слой-подложка.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.