"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
Карпова И.В., Перель В.И., Сыровегин С.М.
Выставление онлайн: 19 апреля 1989 г.

Исследовалась зависимость времени жизни tau от концентрации основных носителей в n- и p-Ge в интервале 3·1019 > n, p> 1016 см-3. Показано, что при n,p>1017 см-3 время жизни определяется ударной рекомбинацией на глубоких уровнях остаточной фоновой примеси. Для n-Ge tau~ n-k, 1 <k<1.5. Коэффициент рекомбинации CI~= 10-26 см6/с. При концентрации n,p >5·1018 см-3 tau перестает уменьшаться с ростом концентрации основных носителей. Предложено возможное объяснение этого эффекта, связанное с тем, что при увеличении концентрации основных носителей уменьшается длина свободного пробега lambda неосновного носителя. Когда lambda становится меньше характерного размера ловушки, время жизни будет определяться временем диффузии носителя к центру рекомбинации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.