"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2003 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
10
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Вайполин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Михрин С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Алфёров Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мокеров В.Г.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Fernelius N.
Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA
5
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Брудный В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
Полушина И.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Наумова О.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Никифоров А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Кожанова Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Серегин Н.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Егоров В.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
3
Гриняев С.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Галиев Г.Б.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Александрова Е.Л.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Гойхман М.Я.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Кудрявцев В.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Саморуков Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Казанский А.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Форш П.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Литвин П.М.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Ястребов С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Валах М.Я.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Шубина Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Косяченко Л.А.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Маслянчук Е.Л.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Склярчук В.М.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Тонких А.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пешев В.В.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Драпак С.И.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Нетяга В.В.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Грушка О.Г.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Мартовицкий В.П.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Волков В.Т.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Якимов Е.Е.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хабаров Ю.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Бирюлин Ю.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Згонник В.Н.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Меленевская Е.Ю.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Миков С.Н.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Орлов С.Е.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Петриков В.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сыкманов Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андронов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Матвеева Л.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Оберемок А.С.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Склярчук Е.Ф.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зайцев В.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Колин Н.Г.
Филиал ГНЦ РФ "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2
Смагулова С.А.
Якутский государственный университет, Якутск, Россия
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Чернышов В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Нуждин М.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Каминский В.Э.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Лунин Р.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Файзрахманов И.А.
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2
Базаров В.В.
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2
Степанов А.Л.
Институт физики 1, Технический университет Аахена, Аахен, Германия
2
Хайбуллин И.Б.
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Ормонт Н.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Громадин А.Л.
Гиредмет, Москва, Россия
2
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев В.В.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Мелл Х.
Philipps-Universitat Marburg, Fachbereich Physik, Marburg, Germany
2
Сморгонская Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бабаев А.А.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Вагабова З.В.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Султанов С.М.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Асхабов А.М.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шаманин В.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Подешво И.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Макаров А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанова Т.Р.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Волков В.П.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Штельмах К.Ф.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Дунаевский М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воронина Т.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лагунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стоянов Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бланк Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гольдберг Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Назыров Д.Э.
Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
2
Полетаев Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Борисенко С.И.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Литвин О.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Венгер Е.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Игнатенко С.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Новик Е.Г.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Федоров Ю.В.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Калинина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Ушаков В.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Кидалов В.В.
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Сукач Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Потапенко Е.П.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Николаев Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гацкевич Е.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ефремов М.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ивлев Г.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Орехов Д.А.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Стрельчук В.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Вуйчик Н.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тетельбаум Д.И.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Михайлов А.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Якимов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Двуреченский А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Раренко И.М.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Медведев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Певцов А.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Селькин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Werner P.
Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle Weinberg 2, Halle, Germany
2
Никитина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Журтанов Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козлов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рожков А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
93
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
21
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
16
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
14
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
12
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
8
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
8
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
6
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
6
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
6
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
5
Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA
5
Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
2
Гиредмет, Москва, Россия
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики 1, Технический университет Аахена, Аахен, Германия
2
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Институт тепло- и массообмена им. А.В. Лыкова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
1
Учебно-научно-производственный центр при Одесском национальном университете им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
1
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины (Херсонский отдел), Херсон, Украина
1
НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН", Зеленоград, Москва, Россия
1
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко, Минск, Белоруссия
1
Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
1
Университет Осака, Япония
1
Институт Ван-дер-Ваальса, Университет Амстердама, Нидерланды
1
Московский технический университет связи и информатики, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников Национальной академии нaук Украины, Киев, Украина
1
Nova Crystals, Inc., 174 Component Dr., San Jose, CA USA
1
Отделение физики твердого тела Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1