"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
1.7--1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур
Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Фетисова Н.В.1, Лешко А.Ю.1, Шамахов В.В.1, Андреев А.Ю.2, Голикова Е.Г.2, Рябоштан Ю.А.2, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Сигм Плюс, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Разработана технология получения гетероструктур раздельного ограничения с сильнонапряженными квантовыми ямами в системе твердых растворов InGaAsP/InP методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы свойства InGaAsP и InGaAs квантовых ям и проанализировано влияние параметров гетероструктуры на длину волны излучения. На базе выращенных гетероструктур созданы мощные многомодовые и одномодовые лазерные диоды мезаполосковой конструкции с длиной волны генерации lambda=1.7-1.8 мкм. Максимальная непрерывная мощность излучения при комнатной температуре составила 1.6 Вт и 150 мВт многомодовых и одномодовых лазерных диодов соответственно. Одномодовый режим генерации сохранялся вплоть до 100 мВт.
  1. J.S. Wang, H.H. Lin, L.W. Sung. IEEE J. Quant. Electron. QE-34, 1959 (1998)
  2. J. Dong, A. Ubukata, K. Matsumoto. Japan. J. Appl. Phys., 36, 5468 (1997)
  3. M. Mitsuhara, M. Ogasawara, M. Oishi, H. Sugira, K. Kasaya. IEEE Phot. Techn. Lett., 11, 33 (1999)
  4. S. O'Brien, W. Plano, J. Major, D.F. Welch, T. Tally. Electron. Lett., 31, 105 (1995)
  5. X. He, D. Xu, A. Ovtchinnikov, S. Wilson, F. Malarayap, R. Supe, R. Patel. Electron. Lett., 35, 1343 (1999)
  6. J.S. Major, D.W. Nam, J.S. Osinski, D.F. Welch. IEEE Phot. Techn. Lett. 5, 594 (1993)
  7. H.K. Choi, S.J. Eglash. IEEE J. Quant. Electron., QE-27, 1555 (1991)
  8. H.K. Choi, S.J. Eglash. Appl. Phys. Lett., 61, 1154 (1992)
  9. D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000)
  10. H.K. Choi, G.W. Turner, S.I. Eglash. IEEE Phot. Techn. Lett., 6, 7 (1994)
  11. D.Z. Garbuzov, H. Lee, V. Khalfin, R. Martinelli, J.C. Connolly, G.L. Belenky. IEEE Phot. Techn. Lett., 11, 794 (1999)
  12. R.U. Martinelli, T.J. Zameroswski, P.A. Longeway. Appl. Phys. Lett., 54. 277 (1989)
  13. R.U. Martinelli, R.J. Menna, A. Triano, M.G. Harvey, G.H. Olsen. Electron. Lett., 30, 324 (1994)
  14. J.S. Major, D.W. Nam, J.S. Osinski, D.F. Welch. IEEE Phot. Techn. Lett., 5, 733 (1993)
  15. А.Д. Бондарев, Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 24, 46 (1998)
  16. Z.N. Sokolova, O.V. Kovalenkov, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov, I.S. Tarasov. Abstracts 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1998) p. 410
  17. З.Н. Соколова, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря. ФТП, 33, 1105 (1999)
  18. O.V. Kovalenkov, I.S. Tarasov, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov. Abstracts 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1998) p. 268
  19. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков, Д.А. Лившиц, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 33, 858 (1999)
  20. В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, М.В. Максимов, А.А. Суворова, Н.А. Берт, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1256 (1997)
  21. М. Taskinen, M. Sopanen, H. Lipsanen, J. Tulkki, T. Tuomi, J. Ahopelto. Surf. Sci., 376, 60 (1997)
  22. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  23. L.V. Asryan, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, R.A. Suris, D. Bimberg. Proc. SPIE's Int. Symp. PHOTONICS WEST'2000. (San Jose, CA, USA, 2000) 3944, 823
  24. А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, В.И. Копчатов, А.В. Лунев, А.Ф. Цацульников, Б.В. Валовик, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев. ФТП, 32, 892 (1998)
  25. M. Kondow, K. Uomi, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa. J. Cryst. Growth, 164, 175 (1996)
  26. H. Naoi, Y. Naoi, Sakai. Sol. St. Electron., 41, 319 (1997)
  27. J.W. Matthews. Epitaxial Growth, ed. by J.W. Matthews (Academic Press, N.Y., 1975) pt B
  28. R.E. Nahory, M.A. Pollack, W.D. Johnston, Jr., R.L. Barns. Appl. Phys. Lett., 33, 659 (1978)
  29. S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 43, 9649 (1991)
  30. M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  31. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 28 (3), 66 (2002)
  32. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1393 (2002)
  33. Z.N. Sokolova, D.I. Gurylev, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Abstracts 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 2002) p. 252
  34. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34, 1457 (2000)
  35. Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 380 (2001)
  36. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 364 (2002)
  37. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.В. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 34, 886 (2000)
  38. Г.Г. Зегря, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 1001 (2001)
  39. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (7), 57 (2000)
  40. С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 (3), 65 (2003)
  41. G.K. Kuang, G. Bohm, N. Graf, G. Rosel, R. Meyer, M.C. Ammann. IEEE Phot. Techn. Lett., 13, 275 (2001)
  42. S.L. Chuang. Physics of Optoelectronic Devices (John Wiley \& Sons, N. Y., 1995)
  43. M. Ochiai, H. Temkin, S. Forouhar, R.A. Logan. IEEE Phot. Techn. Lett., 7, 825 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.