"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
1.7--1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур
Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Фетисова Н.В.1, Лешко А.Ю.1, Шамахов В.В.1, Андреев А.Ю.2, Голикова Е.Г.2, Рябоштан Ю.А.2, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Сигм Плюс, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Разработана технология получения гетероструктур раздельного ограничения с сильнонапряженными квантовыми ямами в системе твердых растворов InGaAsP/InP методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы свойства InGaAsP и InGaAs квантовых ям и проанализировано влияние параметров гетероструктуры на длину волны излучения. На базе выращенных гетероструктур созданы мощные многомодовые и одномодовые лазерные диоды мезаполосковой конструкции с длиной волны генерации lambda=1.7-1.8 мкм. Максимальная непрерывная мощность излучения при комнатной температуре составила 1.6 Вт и 150 мВт многомодовых и одномодовых лазерных диодов соответственно. Одномодовый режим генерации сохранялся вплоть до 100 мВт.
  • J.S. Wang, H.H. Lin, L.W. Sung. IEEE J. Quant. Electron. QE-34, 1959 (1998)
  • J. Dong, A. Ubukata, K. Matsumoto. Japan. J. Appl. Phys., 36, 5468 (1997)
  • M. Mitsuhara, M. Ogasawara, M. Oishi, H. Sugira, K. Kasaya. IEEE Phot. Techn. Lett., 11, 33 (1999)
  • S. O'Brien, W. Plano, J. Major, D.F. Welch, T. Tally. Electron. Lett., 31, 105 (1995)
  • X. He, D. Xu, A. Ovtchinnikov, S. Wilson, F. Malarayap, R. Supe, R. Patel. Electron. Lett., 35, 1343 (1999)
  • J.S. Major, D.W. Nam, J.S. Osinski, D.F. Welch. IEEE Phot. Techn. Lett. 5, 594 (1993)
  • H.K. Choi, S.J. Eglash. IEEE J. Quant. Electron., QE-27, 1555 (1991)
  • H.K. Choi, S.J. Eglash. Appl. Phys. Lett., 61, 1154 (1992)
  • D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000)
  • H.K. Choi, G.W. Turner, S.I. Eglash. IEEE Phot. Techn. Lett., 6, 7 (1994)
  • D.Z. Garbuzov, H. Lee, V. Khalfin, R. Martinelli, J.C. Connolly, G.L. Belenky. IEEE Phot. Techn. Lett., 11, 794 (1999)
  • R.U. Martinelli, T.J. Zameroswski, P.A. Longeway. Appl. Phys. Lett., 54. 277 (1989)
  • R.U. Martinelli, R.J. Menna, A. Triano, M.G. Harvey, G.H. Olsen. Electron. Lett., 30, 324 (1994)
  • J.S. Major, D.W. Nam, J.S. Osinski, D.F. Welch. IEEE Phot. Techn. Lett., 5, 733 (1993)
  • А.Д. Бондарев, Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 24, 46 (1998)
  • Z.N. Sokolova, O.V. Kovalenkov, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov, I.S. Tarasov. Abstracts 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1998) p. 410
  • З.Н. Соколова, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря. ФТП, 33, 1105 (1999)
  • O.V. Kovalenkov, I.S. Tarasov, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov. Abstracts 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1998) p. 268
  • Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков, Д.А. Лившиц, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 33, 858 (1999)
  • В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, М.В. Максимов, А.А. Суворова, Н.А. Берт, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1256 (1997)
  • М. Taskinen, M. Sopanen, H. Lipsanen, J. Tulkki, T. Tuomi, J. Ahopelto. Surf. Sci., 376, 60 (1997)
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  • L.V. Asryan, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, R.A. Suris, D. Bimberg. Proc. SPIE's Int. Symp. PHOTONICS WEST'2000. (San Jose, CA, USA, 2000) 3944, 823
  • А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, В.И. Копчатов, А.В. Лунев, А.Ф. Цацульников, Б.В. Валовик, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев. ФТП, 32, 892 (1998)
  • M. Kondow, K. Uomi, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa. J. Cryst. Growth, 164, 175 (1996)
  • H. Naoi, Y. Naoi, Sakai. Sol. St. Electron., 41, 319 (1997)
  • J.W. Matthews. Epitaxial Growth, ed. by J.W. Matthews (Academic Press, N.Y., 1975) pt B
  • R.E. Nahory, M.A. Pollack, W.D. Johnston, Jr., R.L. Barns. Appl. Phys. Lett., 33, 659 (1978)
  • S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 43, 9649 (1991)
  • M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  • Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 28 (3), 66 (2002)
  • А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1393 (2002)
  • Z.N. Sokolova, D.I. Gurylev, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Abstracts 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 2002) p. 252
  • А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34, 1457 (2000)
  • Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 380 (2001)
  • Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 364 (2002)
  • Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.В. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 34, 886 (2000)
  • Г.Г. Зегря, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 1001 (2001)
  • Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (7), 57 (2000)
  • С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 (3), 65 (2003)
  • G.K. Kuang, G. Bohm, N. Graf, G. Rosel, R. Meyer, M.C. Ammann. IEEE Phot. Techn. Lett., 13, 275 (2001)
  • S.L. Chuang. Physics of Optoelectronic Devices (John Wiley \& Sons, N. Y., 1995)
  • M. Ochiai, H. Temkin, S. Forouhar, R.A. Logan. IEEE Phot. Techn. Lett., 7, 825 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.