"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2
Качурин Г.А.1, Яновская С.Г.1, Тетельбаум Д.И.2, Михайлов А.Н.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Изучено влияние имплантации 1013-1016 см-2 ионов P и последующего отжига при 600-1100oC на фотолюминесценцию нанокристаллов Si, заранее сформированных в слоях SiO2. Сразу после имплантации дозы 1013 см-2 наблюдается гашение полосы 780 нм, излучаемой нанокристаллами. Восстановление эмиссии частично нарушенных нанокристаллов заметно уже с 600oC, но после превышения дозы аморфизации необходимы отжиги 1000-1100oC. После отжигов обнаружены усиление люминесценции при имплантации малых доз P и ее ускоренное восстановление, когда концентрация P превышает ~0.1 ат%. Первый эффект объясняется ударной кристаллизацией нановыделений, второй --- ускорением кристаллизации примесью. Последнее наряду с дозовой зависимостью послеотжиговой люминесценции рассматривается как свидетельство попадания атомов P в нанокристаллы Si. Вопреки ряду оценок введение P не приводит к гашению люминесценции из-за оже-рекомбинации. Расхождения объясняются взаимодействием носителей с ядрами доноров.
  1. Y. Kanzawa, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. Sol St. Commun., 100, 227 (1996)
  2. M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys., 83, 7953 (1998)
  3. M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 75, 184 (1999)
  4. M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamoto, C. Urakawa, H. Ohta. J. Appl. Phys., 87, 1855 (2000)
  5. A. Mimura, M. Fujii, S. Hayashi, D. Kovalev, F. Koch. Phys. Rev. B, 62, 12 625 (2000)
  6. L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
  7. Д.И. Тетельбаум, И.А. Карпович, М.В. Степихова, В.Г. Шенгуров, К.А. Марков, О.Н. Горшков. Поверхность, N 5, 31 (1998)
  8. M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan. J. Luminesc., 70, 170 (1996)
  9. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34, 1004 (2000)
  10. M. Klimenkov, W. Matz, S.A. Nepijko, M. Lehman. Nucl. Instr. Meth. B, 179, 209 (2001)
  11. D.K. Yu, R.Q. Zhang, S.T. Lee. Phys. Rev. B, 65, 245 417 (2002)
  12. H. Kohno, T. Iwasaki, Y. Mita, S. Takeda. J. Appl. Phys., 91, 3232 (2002)
  13. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, M.-O. Ruault. ФТП, 36, 685 (2002)
  14. L. Czepregi, E.F. Kennedy, T.J. Gallaher, J.W. Mayer, T.W. Sigmon. J. Appl. Phys., 48, 4234 (1977)
  15. D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, S.A. Trushin, D.G. Revin, D.M. Gaponova, W. Eckstein. Nanotechnology, 11, 295 (2000)
  16. D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, V.A. Burdov, A.I. Golovanov, D.G. Revin, D.M. Gaponova. Nucl. Instr. Meth. B, 174, 123 (2001)
  17. Г.А. Качурин, М.-О. Рюо, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, О. Кайтасов, Г. Бернас, Л.М. Логвинский. В сб.: Взаимодействие ионов с поверхностью (М., 1999) т. 2, с. 69
  18. R. Tsu. Appl. Phys. A, 71, 391 (2000)
  19. H.J. von Bardeleben, C. Ortega, A. Grosman, V. Morazzani, J. Siejka, D. Stievenard. L. Luminesc., 57, 301 (1993)
  20. G. Mauckner, W. Rebitzer, K. Thonke, R. Sauer. Sol. St. Commun., 91, 717 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.