"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О температурной зависимости статической электропроводности полупроводниковой квантовой проволоки в изоляторе
Поклонский Н.А.1, Кисляков Е.Ф.1, Вырко С.А.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 14 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Рассматривается электрическое сопротивление на постоянном токе полупроводниковой квантовой проволоки в диэлектрической матрице, обусловленное взаимодействием носителей заряда с продольными акустическими фононами матрицы. Для случая невырожденного газа носителей в проволоке на основе приближения времени релаксации получены простые аналитические выражения для расчета электропроводности. При независящей от температуры концентрации носителей заряда сопротивление проволоки растет с температурой как T5/2, т. е. более сильно, чем в объемном ковалентном полупроводнике.
  1. S. Kagoshima, H. Nagasawa, T. Sambongi. One-dimensional conductors (Berlin, Springer, 1988)
  2. Nanotechnology, ed. by G. Timp (N. Y., Springer, 1999)
  3. Электронные свойства дислокаций в полупроводниках, под ред. Ю.А. Осипьяна (М., Эдиториал УРСС, 2000)
  4. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
  5. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  6. K. Seeger. Semiconductor Physics: An introduction (Berlin, Springer, 1999)
  7. B.K. Ridley. Quantum Processes in Semiconductors (Oxford, Clarendon Press, 1999) chap. 3, 10
  8. Э.Л. Нагаев. ЖЭТФ, 100, (4(10)), 1297 (1991)
  9. Справочник по специальным функциям, под ред. М. Абрамовица, И. Стиган (М., Наука, 1979)
  10. I.A. Dobrinets, A.M. Zaitsev, T. Etzel, J. Butler, A.D. Wieck. J. Wide Bandgap Mater., 9 (1 / 2), 7 (2001)
  11. В.С. Вавилов. УФН, 167, 17 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.