"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Неомическая проводимость при переходе от слабой к сильной локализации в структурах GaAs / InGaAs с двумерным электронным газом
Шерстобитов А.А.1, Миньков Г.М.1, Рут О.Э.1, Германенко А.В.1, Звонков Б.Н.2, Ускова Е.А.2, Бирюков А.А.2
1НИИ физики и прикладной математики при Уральском государственном университете им. А.М. Горького, Екатеринбург, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 18 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Приведены исследования зависимостей проводимости от температуры и напряженности электрического поля в широком диапазоне значений проводимости (от sigma<< e2/h до sigma>> e2/h) на структурах GaAs / InGaAs / GaAs с двумерным электронным газом. Показано, что температурная зависимость омической проводимости не является достаточным критерием для определения механизма проводимости. Исследования неомической проводимости дают возможность определить диапазон значений низкотемпературной проводимости, когда диффузионный механизм проводимости сменяется прыжковым. Показано, что в исследованных структурах при увеличении беспорядка проводимость остается диффузионной вплоть до значений низкотемпературной проводимости, много меньшей, чем e2/h.
  1. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  2. G.M. Minkov, O.E. Rut, A.V. Germanenko, A.A. Sherstobitov, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova, A.A. Birukov. Phys. Rev. B, 65, 235 322 (2002)
  3. D. Vollhardt, P. Woelfle. Phys. Rev. Lett., 45, 842 (1980); Phys. Rev. B, 22, 4666 (1980)
  4. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electron-electron Interactions in Disordered Systems (Elsevier Science Publishers B.V., 1985) p. 1
  5. H.W. Jiang, C.E. Jonson, K.L. Wang. Phys. Rev. B, 46, 12 830 (1992); T. Wang, K.P. Clark, G.F. Spenser, A.M. Mack, W.P. Kirk. Phys. Rev. Lett., 72, 709 (1994); C.H. Lee, Y.H. Chang, Y.W. Suen, H.H. Lin. Phys. Rev. B, 58, 10 629 (1998); F.V. Van Keuls, X.L. Hu, H.W. Jiang, A.J. Dahm. Phys. Rev. B, 56, 1161 (1997); H.W. Jiang, C.E. Jonson, K.L. Wang, S.T. Hannahs. Phys. Rev. Lett., 71, (1993)
  6. M.E. Gershenson, Yu.B. Khavin, D. Reuter, P. Schafmeister, A.D. Wieck. Phys. Rev. Lett., 85, 1718 (2000)
  7. S. Marnieros, L. Berg\`e, A. Juillard, L. Dumoulin. Phys. Rev. Lett., 84, 2469 (2000)
  8. P.J. Price. J. Appl. Phys., 53, 6863 (1982)
  9. E. Chow et al., Phys. Rev. Lett., 77, 1143 (1996); D.V. Khveshchenko, M. Reizer. Phys. Rev. B, 56, 15 822 (1997)
  10. И.Г. Савельев, Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 21, 2096 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.