Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературная антистоксова фотолюминесценция в наноструктурах CdSe/ZnSe

Валах М.Я.¹, Вуйчик Н.В.¹, Стрельчук В.В.¹, Сорокин С.В.², Шубина Т.В.², Иванов С.В.², Копьев П.С.²

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 16 октября 2002 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

PDF версия

Интенсивная антистоксова фотолюминесценция наблюдалась при низких температурах в структуре CdSe/ZnSe с одиночными вставками CdSe номинальной толщины 1.5 и 0.6 монослоев в матрице ZnSe. При возбуждении с энергией фотонов, заметно меньшей энергетического положения максимума антистоксовой полосы, получена близкая к квадратичной зависимость ее интенсивности от мощности возбуждения, а при резонансном возбуждении - получена менее резкая зависимость. Механизм возбуждения антистоксовой фотолюминесценции интерпретирован на основе нелинейного процесса двухступенчатого двухфотонного поглощения через глубокие состояния дефектных центров, включающих катионные вакансии, локализованные на гетерогранице барьер-наноостровок.

N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B, 61, 16 015 (2000); D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, N.N. Ledentsov. Phys. Rev. B, 61, 16 819 (2000)
D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, P. Kratzert, M. Rabe, F. Henneberger. Proc. 10th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology". (St.Petersburg, 2002) p. 49
A. Rosenauer, T. Reisinger, E. Steinkirchner, J. Zweck, W. Gebhardt. J. Cryst. Growth, 152, 580 (1995)
G. Bacher, D. Tonnies, D. Eisert, A. Forchel, M.O. Moller, M. Korn, B. Jobst, D. Hommel, G. Landwehr, J. Soliner, M. Heuken. J. Appl. Phys., 79, 4368 (1996)
R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 75, 373 (1999)
E.J. Johnson, J. Kafalos, R.W. Davies, W.A. Dyes. Appl. Phys. Lett., 40, 993 (1982)
L.G. Quagliano, H. Nather. Appl. Phys. Lett., 45, 555 (1984)
N. Kunzner, D. Kovalev, H. Heckler, J. Diener, G. Polisski, F. Koch, Al.L. Efros, M. Rosen. Phys. St. Sol. (b), 224, 21 (2001)
Yu.P. Rakovich, S.A. Filonovich, M.J.M. Gomes, J.F. Donegan, D.V. Talapin, A.L. Rogach, A. Eychmuller. Phys. St. Sol. (b), 229, 449 (2002)
R. Hellman, A. Euteneuer, S.G. Hense, J. Feldmann, P. Thomas, E.O. Gobel, D.R. Yakovlev, A. Waag, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 51, 18 053 (1995)
M. Satake, Y. Masumoto, T. Miyajima, T. Asatsuma, T. Hino. Phys. Rev. B, 61, 12 654 (2000)
S. Kalem, A. Gurtis, Q. Hartmann, B. Moser, G. Stillman. Phys. St. Sol. (b), 221, 517 (2000)
W. Seidel, A. Titkov, J.P. Andree, P. Voisin, M. Voos. Phys. Rev. Lett., 73, 2356 (1994)
P.P. Paskov, P.-O. Holtz, B. Monemar, J.M. Garcia, W.V. Schoenfeld, P.M. Petroff. Jap. J. Appl. Phys., 40 (1), 2080 (2001)
I.V. Ignatiev, I.E. Kozin, H.W. Ren, S. Sugon, Y. Masumoto. Phys. Rev. B, 60, R14001 (1999)
S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys., 83, 3168 (1998)
S. Sorokin, T. Shubina, A. Toropov, I. Sedova, A. Sitnikova, R. Zolotareva, S. Ivanov, P. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 200/201, 461 (1999)
C.S. Kim, M. Kim, S. Lee, J.K. Furdyna, M. Dobrowolska, H. Rho, L.M. Smith, H.E. Jackson. J. Cryst. Growth, 214/215, 761 (2000)
K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins. Sol. St. Commun., 35 (7), 527 (1980)
I. Yamakawa, S. Sorokin, A. Toropov, S. Ivanov, A. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 39, L851 (2000)
E. Kurtz, T. Sekigushi, Z. Zhu, T. Yao. Superlatt. Microstruct., 25 (1/2), 119 (1999)
M.Ya. Valakh, M.P. Lisitsa, G.S. Pekar, G.N. Polisskii, V.I. Sidorenko, A.M. Yaremko. Phys. St. Sol. (b), 113, 635 (1982)
R.G. Alonso, E.-K. Suh, A.K. Ramdas, N. Samarth, H. Luo, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 40, 3720 (1989)
N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford University Press, Oxford, 1979)
E. Cohen, M.D. Sturge. Phys. Rev. B, 25, 3828 (1982)
A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, R.N. Kyutt, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. Phys. Rev. B, 59, 2510 (1999)
A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander, J.P. Bergman, G.R. Pozina, B. Monemar. J. Cryst. Growth, 201/202, 1231 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель