"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации
Наумова О.В.1, Антонова И.В.1, Попов В.П.1, Настаушев Ю.В.1, Гаврилова Т.А.1, Литвин Л.В.1, Aсеeв А.Л.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Рассмотрены основные проблемы, возникающие при изготовлении наноразмерных транзисторов. Апробированы альтернативные классическому МОП-транзистору конструкции полевых транзисторов на структурах кремний-на-изоляторе с различной конфигурацией затвора. Показано, что наиболее перспективными являются конструкции многоканальных транзисторов на однородно легированных слоях кремния-на-изоляторе с трехмерным затвором, которые позволяют решить как проблему смыкания областей обеднения стока--истока (в классических МОП-транзисторах), так и проблему малой плотности тока в конструкциях с одним каналом.
  1. S. Cristoloveanu, S.Li Sheng. Electrical characterisation of silicon-on-insulator materials and devices (Kluwer Academic Publishers, Boston--Dordrecht--London, 1995)
  2. B. Doyle, R. Arghavani, D. Barlage, S. Datta, M. Doczy, J. Kavalieros, A. Murthy, R. Chau. Intel Technical J., 06, 42 (2002)
  3. K.K. Likharev. Proc. IEEE, 87, 606 (1999)
  4. V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.S. Mardezhov, A.A. Franzusov, G.N. Feofanov. Mater. Sci. Eng., B73, 82--86 (2000)
  5. Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, A. Kolosanov, O.V. Naumova, V.P. Popov, A.L. Aseev. Mater. Sci. Eng., C19, 189 (2002)
  6. R. Dennard, F. Gaensslen, L. Kuhn, H. Yu. Abstracts IEEE Int. Electron Dev. Meeting (1972)
  7. Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов (М., Техносфера, 2002) с. 416
  8. M.G. Peters, S.G. den Hartog, J.I. Dijkhuis, O.J.A. Buyk, L.W. Molenkamp. J. Appl. Phys., 84, 5052 (1998)
  9. H. Kawaura, T. Sakamoto, T. Baba. Ext. Abstracts Int. Conf. Solid State Devices and Materials, 20 (1999)
  10. N. Matsuo, J. Yamauchi, Y. Kitagawa, H. Hamada, T. Miura, T. Miyoshi. Jap. J. Appl. Phys., 39, 3850 (2000)
  11. N. Ishikuro, N. Fujii, T. Saraya, T. Hiramoto, T. Ikoma. Appl. Phys. Lett., 68, 3585 (1996)
  12. L. Zhuang, L. Guo, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 72,1205 (1998)
  13. K. Yano, T. Ishii, T. Sano, T. Mine, F. Murai, T. Kure, K. Seki. Abstracts Int. Electron Dev. Meeting (San Francisco, CA, 1998)
  14. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev. Microelectronic Eng., 66, 442 (2003)
  15. H. Ishikuro, T. Hiramoto. Appl. Phys. Lett., 74, 1226 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.