Электронный транспорт в униполярных гетероструктурных транзисторах с квантовыми точками в сильных электрических полях
Мокеров В.Г.1, Пожела Ю.К.2, Федоров Ю.В.1
1Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 25 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
Представлена модель для объяснения особенностей электронного транспорта в сильных электрических полях в униполярном гетероструктурном транзисторе с квантовыми точками (AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs). Показано, что двухступенчатая форма выходной вольт-амперной характеристики ID(VD) и аномальная зависимость тока стока ID от напряжения на затворе VG обусловлены ионизацией квантовых точек в сильном электрическом поле вблизи стокового края затвора. Ионизация квантовых точек зарождается при напряжении стока VD, превышающем значение VD1, при котором зависимость ID(VD) выходит на насыщение (первая ступенька вольт-амперной характеристики). При последующем увеличении VD, т. е. при VD>VD1, зависимость ID(VD) за счет ионизации квантовых точек снова испытывает крутой подъем и затем при VD=VD2>VD1 ток ID вторично выходит на насыщение (вторая ступенька на характеристике). Этот эффект предлагается использовать для определения заселенности квантовых точек электронами. Представленная модель также описывает наблюдаемое в эксперименте двукратное изменение знака крутизны gm=dID/dVG как функции VG.
- V.G. Mokerov, Yu.V. Fedorov, L.E. Velikowski, M.Yu. Scherbakova. Proc. 9th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 2001) (Ioffe Institute, 2001) p. 453
- В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, Л.Э. Велиховский, М.Ю. Щербакова. Доклады Академии наук. Физика, 375, 754 (2000)
- V.G. Mokerov, Yu.V. Fedorov, L.E. Velikovskii, M.Yu. Scherbakova. Nanotechnology, 12, 552 (2001)
- D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (N.Y., John Willey \& Sons, 1999) p. 122
- L. Jacak, P. Hawrylak, A. Wojs. Quantum Dots (Berlin, Springer Verlag, 1998)
- P.N. Brounkov, N.N. Faleev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, V.M. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, P.S. Kop'ev, S.G. Konnikov. Proc. 23rd Int. Conf. Physics of Semiconductors (Berlin, 1996) (Singapore, World Scientific, 1996) p. 1361
- П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, И.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, И.С. Копьев. ФТП, 30, 924 (1996)
- И.А. Карпович, А.П. Горшков, С.Б. Левичев, С.Б. Морозов, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов. ФТП, 35, 564 (2001)
- C. Lingk, W. Helfer, G. von Plessen, J. Feldmann, K. Stock, M.W. Feise, D.S. Citrin, H. Lipsanen, M. Sopanen, R. Virkkala, J. Tulkki, J. Ahopelto. Phys. Rev. B, 62, 13 588 (2000)
- A. Patane, A. Polimeni, L. Eaves, P.C. Main, M. Henini, A.E. Belyaev, Yu.V. Dubrovskii, P.N. Brounkov, E.E. Vdovin, Yu.N. Khanin, G. Hill. Phys. Rev. B, 62, 13 595 (2000)
- В.А. Гергель, В.Г. Мокеров, М.В. Тимофеев, Ю.В. Федоров. ФТП, 34, 239 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
