Вышедшие номера
Влияние облучения быстрыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVD эпитаксиальных слоев 4H-SiC
Калинина Е.В.1, Холуянов Г.Ф.1, Давыдов Д.В.1, Стрельчук А.М.1, Hallen A.2, Константинов А.О.3, Лучинин В.В.4, Никифоров А.Ю.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Royal Institute of Technology Department of Electronic, Electrum 229, SE 164 40 Kista, Sweden
3Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden
4Санкт-Петербургский электротехнический университет, Центр микротехнологии и диагностики, Санкт-Петербург, Россия
5Специализированные электронные системы, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами (1 МэВ) на электрические свойства Al-барьеров Шоттки и ионно-легированных алюминием p+-1pt-n-n+-1pt-диодов, сформированных на основе высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксаии. Использование таких структур позволило проводить исследования радиационных дефектов в эпитаксиальном слое при температурах до 700 K. После облучения образцов нейтронами с флюенсом 6· 1014 см-2 наблюдалось исчезновение выпрямляющих свойств диодных структур из-за высокого (до 50 ГОм) сопротивления радиационно-нарушенного слоя. Однако при температуре 650 K диодные характеристики облученных p+-1pt-n-n+-1pt-структур частично восстанавливались.