"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние облучения быстрыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVD эпитаксиальных слоев 4H-SiC
Калинина Е.В.1, Холуянов Г.Ф.1, Давыдов Д.В.1, Стрельчук А.М.1, Hallen A.2, Константинов А.О.3, Лучинин В.В.4, Никифоров А.Ю.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Royal Institute of Technology Department of Electronic, Electrum 229, SE 164 40 Kista, Sweden
3Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden
4Санкт-Петербургский электротехнический университет, Центр микротехнологии и диагностики, Санкт-Петербург, Россия
5Специализированные электронные системы, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами (1 МэВ) на электрические свойства Al-барьеров Шоттки и ионно-легированных алюминием p+-1pt-n-n+-1pt-диодов, сформированных на основе высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксаии. Использование таких структур позволило проводить исследования радиационных дефектов в эпитаксиальном слое при температурах до 700 K. После облучения образцов нейтронами с флюенсом 6· 1014 см-2 наблюдалось исчезновение выпрямляющих свойств диодных структур из-за высокого (до 50 ГОм) сопротивления радиационно-нарушенного слоя. Однако при температуре 650 K диодные характеристики облученных p+-1pt-n-n+-1pt-структур частично восстанавливались.
  1. Ю.Н. Николаев. Электрон. техн., 3, 54 (1966)
  2. В.В. Макаров. ФТТ, 13 (8), 2357 (1971)
  3. А.И. Вейнгер, А.А. Лепнева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.И. Соколов. ФТП, 18 (11), 2153 (1984). [Sov. Phys. Semicond., 18 (11), 1256 (1984)]
  4. V. Nagesh, J.W. Farmer, R.F. Davis, H.S. Kong. Appl. Phys. Lett., 50, 1138 (1987)
  5. А.Ю. Никифоров, П.К. Скоробогатов, Ю.И. Сыцько. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002" (М., Паимс, 2002) т. 5, с. 147
  6. L.W. Aukerman, H.C. Garton, R.K. Willardson, V.E. Bryson. Silicon Carbide, ed. by J.R. O'Connor, J. Smiltens (Pergamon, Oxford, 1959) c. 388
  7. E.W.J. Mitchell, M.J. Moore. Radiation Damage in Semiconductors (Dunod, Paris, 1965) c. 235
  8. C.E. Barnes. Appl. Phys. Lett., 20, 86 (1972)
  9. И.В. Рыжиков, И.Л. Касаткин, Е.Ф. Уваров. Электрон. техн., сер. 2, 4 (147), 9 (1981)
  10. В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30 (1), 112 (1996). [Semiconductors, 30 (1), 52 (1996)]
  11. А.Ю. Никифоров, В.В. Лучинин, В.С. Фигуров. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-98" (М., СПЭЛС--НИИП, 1998) т. 1, с. 127
  12. S. Seshadri, A.R. Dulloo, F.H. Ruddy, J.G. Seide, L.B. Rowland. IEEE Trans. ED, 46 (3), 567 (1999)
  13. А.Ю. Никифоров, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, А.А. Петров. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2001" (М., Паимс, 2001) т. 4, с. 145
  14. А.Ю. Никифоров, П.А. Иванов, В.В. Лучинин. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002" (М., Паимс, 2002) т. 5, с. 167
  15. E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, A. Zubrilov, V. Kossov, R. Yafaev, A.P. Kovarski, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson, C. Adas, S. Randakova, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 77 (19), 3051 (2000)
  16. А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, А.А. Петров. Петербургский журн. электроники, 3-- 4, 12 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.