"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Конструкция и технология изготовления вертикально излучающих лазеров с непроводящими эпитаксиальными зеркалами
Малеев Н.А.1, Ковш А.Р.1, Жуков А.Е.1, Васильев А.П.1, Михрин С.С.1, Кузьменков А.Г.1, Бедарев Д.А.1, Задиранов Ю.М.1, Кулагина М.М.1, Шерняков Ю.М.1, Шуленков А.С.2, Быковский В.А.2, Соловьев Ю.М.3, Moller C.4, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Белоруссия
3ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
4Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin, Berlin, Deutschland
Поступила в редакцию: 11 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Рассматриваются конструктивно-технологические проблемы при создании структур полупроводниковых вертикально излучающих лазеров с непроводящими распределенными брэгговскими отражателями, полученныx методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Вертикально излучающие лазеры с активной областью сформированы на основе квантовых ям InGaAs, с нижним полупроводниковым и верхним оксидированным брэгговскими отражателями при диаметре оксидированной апертуры 7--12 мкм. Приборы демонстрируют лазерную генерацию в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 0.5--1.5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.5 мВт/мА и максимальной выходной мощностью до 3 мВт.
  1. K.D. Choquette, H.Q. Hou. Proc. IEEE, 85, 1730 (1997)
  2. Vertical cavity surface emitting lasers, ed. by L.A. Coldren, H. Temkin, C.W. Wilmsen (Cambridge Univ. Press, 1999)
  3. L.A. Coldren, E. Hall, S. Nakagawa. Proc. Electronic Components and Technology Conference (2001)
  4. D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Photon. Technol. Lett., 11, 934 (1999)
  5. R. Pu, C. Duan, C.W. Wilmsen. IEEE J. Selected Topics Quant. Electron., 5, 201 (1999)
  6. K.D. Choquette, K.M. Geib, C.I.H. Ashby, R.D. Twesten, O. Blum, H.H. Hou, D.M. Follstaedt, B.E. Hammons, D. Mathes, R. Hull. IEEE J. Selected Topics Quant. Electron., 3, 916 (1997)
  7. J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 36, 1384 (2000)
  8. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Cherkashin, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, J.A. Lott, D. Bimberg. Proc. Conf. "Optoelectronics 2002", San Jose, CA, USA, Jan. 20--25, 2002. SPIE's Photonics West (2002), 4646, Technical Summary Digest, p. 49
  9. H.Q. Jia, H. Chen, W.C. Wang, W.X. Wang, W. Li, Q. Huang, J. Zhou. J. Cryst. Growth, 223, 484 (2001)
  10. Н.А. Малеев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов. ФТП, 35, 881 (2000). [Semicond., 35, 847 (2001)]
  11. J. Kaindl, S. Stoier, G. Franz. J. Electrochem. Soc., 142, 2418 (1995)
  12. N.A. Maleev, A.R. Kovsh, A.P. Vasil'ev, S.S. Mikhrin, Yu.M. Shernyakov, M.V. Kulagina, Yu.M. Zadiranov, D.A. Bedarev, Yu.V. Solov'ev, A.V. Shulenkov, M.V. Maximov, V.A. Grishanov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov. Proc. of 4th Belarusian--Russian Workshop "Semiconductor Lasers and Systems" (May 20--22, 2002, Minsk, Belarus) p. 111.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.